[發明專利]具有改善性能的LED器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201610273024.3
• 申請日: 2016-04-28
• 公開（公告）號: CN107331736A
• 公開（公告）日: 2017-11-07
• 發明（設計）人: 左朋;陳弘;賈海強;江洋;馬紫光;王文新;樂艮;趙斌
• 申請（專利權）人: 中國科學院物理研究所
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/22
• 代理公司: 北京泛華偉業知識產權代理有限公司11280
• 代理人: 王勇,葉北琨

1.一種制造具有改善性能的LED器件的方法，包括下列步驟：

1)準備未做表面鈍化處理的LED芯片；

2)在步驟1)所準備的LED芯片的表面沉積鈍化層；

3)在所述鈍化層上涂覆光刻膠，然后在所涂覆的光刻膠上制作納米點陣；

4)將步驟3)所得的光刻膠作為掩膜，在所述鈍化層刻蝕出納米結構陣列，得到圖形化的鈍化層；

5)在所述圖形化的鈍化層上刻蝕出孔洞以露出LED芯片的P電極區域與N電極區域，在所刻蝕出的孔洞中沉積相應的電極金屬。

2.根據權利要求1所述的制造具有改善性能的LED器件的方法，其特征在于，所述步驟1)中，所述未做表面鈍化處理的LED芯片由下至上依次包括：外延生長的襯底、N型區、有源區、P型區和透明導電層。

3.根據權利要求1所述的制造具有改善性能的LED器件的方法，其特征在于，所述步驟2)中，所述鈍化層的材質為SiO₂、SiN_x或者SiON_x。

4.根據權利要求3所述的制造具有改善性能的LED器件的方法，其特征在于，所述步驟2)中，采用等離子體增強化學氣相沉積技術在LED芯片的表面沉積鈍化層，并且在沉積鈍化層時使所述鈍化層覆蓋所述LED芯片的側壁；所述鈍化層厚度在250nm～600nm范圍內。

5.根據權利要求4所述的制造具有改善性能的LED器件的方法，其特征在于，所述步驟3)中，在光刻膠上制作的納米點陣為光刻膠納米周期點陣。

6.根據權利要求1～4中任一項所述的制造具有改善性能的LED器件的方法，其特征在于，所述步驟4)中，所述納米結構陣列為截角錐形貌的納米結構陣列。

7.根據權利要求1～4中任一項所述的制造具有改善性能的LED器件的方法，其特征在于，所述步驟4)中，所述納米結構陣列為柱狀納米結構陣列。

8.根據權利要求1～4中任一項所述的制造具有改善性能的LED器件的方法，其特征在于，所述步驟5)中，結合光刻技術與干法刻蝕技術在所述圖形化的鈍化層上刻蝕所述孔洞。

9.一種LED器件，包括：

LED芯片；和

圖形化的鈍化層，所述圖形化的鈍化層被制作在所述LED芯片的表面上，并具有納米結構陣列。

10.根據權利要求9所述的LED器件，其特征在于，所述鈍化層的材質為SiO₂、SiN_x或者SiON_x；所述納米結構陣列為截角錐形貌的納米結構陣列或者柱狀納米結構陣列。