[發(fā)明專利]GaN基LED外延結(jié)構(gòu)及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610272687.3
• 申請日: 2016-04-28
• 公開（公告）號: CN105789392A
• 公開（公告）日: 2016-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳立人;馮猛
• 申請（專利權(quán)）人: 聚燦光電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/14;H01L33/04;H01L33/06;H01L33/00
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

1.一種GaN基LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述LED外延結(jié)構(gòu)依次包括：

襯底；

位于所述襯底上的緩沖層；

位于所述緩沖層上的u-GaN層；

位于所述u-GaN層上的n型GaN層；

位于所述n型GaN層上的多量子阱發(fā)光層；

位于所述多量子阱發(fā)光層上的電子阻擋層；

位于所述電子阻擋層上的超晶格透光擴(kuò)展層，所述超晶格透光擴(kuò)展層包括若干周期堆疊的Al_xIn_yGa_1-x-yN勢阱層和Al_wIn_zGa_1-w-zN勢壘層，其中，Al_xIn_yGa_1-x-yN勢阱層中x取值范圍為0≤x≤0.5，y取值范圍為0≤y≤0.1，Al_wIn_zGa_1-w-zN勢壘層中w取值范圍為0＜w≤0.5，z取值范圍為0＜z≤0.1；

位于所述超晶格透光擴(kuò)展層上的p型GaN層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述超晶格透光擴(kuò)展層包括6~20個(gè)周期堆疊的Al_xIn_yGa_1-x-yN勢阱層和Al_wIn_zGa_1-w-zN勢壘層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的GaN基LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述超晶格透光擴(kuò)展層中，Al_xIn_yGa_1-x-yN勢阱層的厚度為0.1~2nm，Al_wIn_zGa_1-w-zN勢壘層的厚度為1~5nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述Al_xIn_yGa_1-x-yN勢阱層為非摻雜、p型摻雜或局部區(qū)域p型摻雜。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述Al_wIn_zGa_1-w-zN勢壘層為非摻雜、p型摻雜或局部區(qū)域p型摻雜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多量子阱發(fā)光層包括若干周期堆疊的InGaN量子阱層和AlInGaN量子壘層，其中AlInGaN量子壘層中的Al組分為0~0.2，In組分為0~0.3。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的GaN基LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多量子阱發(fā)光層包括6~10個(gè)周期堆疊的InGaN量子阱層和AlInGaN量子壘層，InGaN量子阱層的厚度為2~4nm，AlInGaN量子壘層的厚度為6~12nm。