[發(fā)明專利]磷酸二氫鉀類晶體的表面拋光方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610271922.5
• 申請(qǐng)日: 2016-04-28
• 公開（公告）號(hào): CN105922083B
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡長(zhǎng)龍;劉衛(wèi)國(guó);包強(qiáng);姬嬌;周順;劉歡;秦文罡;惠迎雪;陳智利
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): B24B1/00
• 分類號(hào): B24B1/00
• 代理公司: 西安新思維專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司61114
• 代理人: 黃秦芳

1.磷酸二氫鉀類晶體的表面拋光方法，其特征在于：

由以下步驟實(shí)現(xiàn)：

步驟一、在磷酸二氫鉀類晶體樣品表面旋涂一層平坦化層，經(jīng)過(guò)平坦化技術(shù)處理后，樣品的表面粗糙度低于1.5nm；

步驟二、將平坦化處理后的磷酸二氫鉀類晶體樣品放置在真空熱處理爐中，真空壓強(qiáng)低于1Pa，熱處理時(shí)間1-5小時(shí)，熱處理溫度低于80℃，熱處理結(jié)束后在真空室中自然冷卻至室溫，取出磷酸二氫鉀類晶體樣品；

步驟三、將磷酸二氫鉀類晶體樣品固定在離子束刻蝕系統(tǒng)的夾具上，調(diào)整夾具與離子束入射之間的角度，范圍為30°到60°；

步驟四、利用真空系統(tǒng)將真空室壓強(qiáng)抽到低于5×10^-4Pa的真空度，按比例通入刻蝕、反應(yīng)的工作氣體，包括氬氣和氧氣，其氧氬比范圍為0:13.2到6:7.2，氣體流量總量13.2sccm，調(diào)節(jié)真空控制閥，使真空室壓強(qiáng)保持在2×10^-2Pa到8×10^-2Pa；

步驟五、調(diào)節(jié)夾具的自轉(zhuǎn)速度，控制在5r/min到30r/min范圍內(nèi)，使磷酸二氫鉀類晶體樣品與夾具一同自轉(zhuǎn)，以消除離子束的不均勻性；

步驟六、調(diào)節(jié)離子源放電工藝參數(shù)，使離子束對(duì)平坦化層和磷酸二氫鉀類晶體材料具有相同的刻蝕速率；

步驟七、打開磷酸二氫鉀類晶體樣品擋板，使離子束對(duì)其進(jìn)行刻蝕拋光，直至完全去除平坦化層，將平坦化層的超光滑表面轉(zhuǎn)移到磷酸二氫鉀類晶體上；

步驟八：等待2小時(shí)，待樣品溫度降至室溫時(shí)，取出樣品。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷酸二氫鉀類晶體的表面拋光方法，其特征在于：

步驟一采用PC3-1500膠作為平坦化層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷酸二氫鉀類晶體的表面拋光方法，其特征在于：

步驟六中，離子源放電工藝參數(shù)為：離子能量200eV到800eV、離子束束流10mA到50mA。