[發(fā)明專利]基于SERS檢測(cè)的微流控芯片、制備方法及其應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610271856.1 | 申請(qǐng)日: | 2016-04-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105854964B | 公開(公告)日: | 2017-12-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳化平;劉愛萍;李吉泉;丁浩;柴國(guó)鐘;朱凱;曹彬彬;吳兵兵 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浙江工業(yè)大學(xué);浙江理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | B01L3/00 | 分類號(hào): | B01L3/00;G01N21/65 |
| 代理公司: | 杭州天正專利事務(wù)所有限公司33201 | 代理人: | 王兵,黃美娟 |
| 地址: | 310014 浙*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 sers 檢測(cè) 微流控 芯片 制備 方法 及其 應(yīng)用 | ||
1.基于SERS檢測(cè)的微流控芯片的制備方法,包括以下步驟:
1)制備超疏水二氧化鈦涂覆液:將二氧化鈦粉末與無水乙醇混合后在50~100Hz條件下超聲配成的二氧化鈦懸浮液,再加入硅烷,繼續(xù)在50~100Hz條件下超聲混勻,然后室溫下反應(yīng)10~15h,得到超疏水二氧化鈦涂覆液;所述的無水乙醇的加入量以二氧化鈦質(zhì)量計(jì)為0.01~0.02g/mL,所述硅烷與二氧化鈦懸浮液體積比為0.01~0.03:1;
2)制備帶超疏水層的基體:利用旋涂機(jī)將超疏水二氧化鈦涂覆液分次旋涂到清洗干凈的玻璃片基體表面,然后置于烘箱中100~120°處理1~2h,得到帶超疏水層的基體;所述的超疏水二氧化鈦涂覆液的涂覆用量為0.1~0.2g/cm3;
3)制備掩膜板:通過高分辨的激光打印機(jī)在膠片上打印用于透光的T形流道,制成掩膜板,其中所述的T形流道由橫流道和垂直于橫流道中間位置的豎流道組成,所述的橫流道以中間位置為軸對(duì)稱從兩端向中間位置劃分成若干相應(yīng)對(duì)稱的區(qū)域,每個(gè)區(qū)域均勻分布疏水微圖案,所述的疏水微圖案所對(duì)應(yīng)基體相應(yīng)位置的位置為超疏水區(qū),疏水微圖案之外的部分為超親水區(qū);所述橫流道沿兩端向中間位置所述區(qū)域內(nèi)疏水微圖案?jìng)€(gè)數(shù)遞減,即相鄰疏水微圖案間的間距逐漸遞增;所述的豎流道設(shè)計(jì)成楔形流道,末端作為檢測(cè)區(qū);
4)制備芯片:將掩膜板覆蓋在帶超疏水涂層的基體表面,然后開啟UV光源,紫外光透過所述的掩膜板,照射到超疏水涂層表面,被曝光區(qū)域由超疏水轉(zhuǎn)變?yōu)槌H水,而基體剩余的部分仍為超疏水,即可將掩膜板上的T形流道復(fù)制到基體的超疏水表面上。
2.如權(quán)利要求1所述的基于SERS檢測(cè)的微流控芯片的制備方法,其特征在于:所述的硅烷為十八烷基三甲氧基硅烷。
3.如權(quán)利要求1所述的基于SERS檢測(cè)的微流控芯片的制備方法,其特征在于:步驟1)中的第一次超聲時(shí)間為30~60min,第二次超聲時(shí)間為10~20min。
4.如權(quán)利要求1所述的基于SERS檢測(cè)的微流控芯片的制備方法,其特征在于:步驟1)中的基體為玻璃片、金屬片或者棉織品片。
5.如權(quán)利要求4所述的基于SERS檢測(cè)的微流控芯片的制備方法,其特征在于:所述的基體的清潔方式為:將基體依次在丙酮、乙醇、去離子水中超聲10~20min,超聲頻率為50~100Hz。
6.如權(quán)利要求1所述的基于SERS檢測(cè)的微流控芯片的制備方法,其特征在于:步驟2)中的旋涂次數(shù)為五次,每次取50μL二氧化鈦涂覆液旋涂到洗凈的基體表面。
7.如權(quán)利要求6所述的基于SERS檢測(cè)的微流控芯片的制備方法,其特征在于:旋涂機(jī)的轉(zhuǎn)速為1000~2000rad/min。
8.權(quán)利要求1~7任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的制備方法得到的基于SERS檢測(cè)的微流控芯片,其特征在于:包括基體和設(shè)置在基體表面的T形親水流道,所述的T形親水流道由橫流道和垂直于橫流道中間位置的豎流道組成,所述的橫流道以中間位置為軸對(duì)稱從兩端向中間位置劃分成若干相應(yīng)對(duì)稱的區(qū)域,每個(gè)區(qū)域均勻分布疏水微圖案,所述的疏水微圖案所對(duì)應(yīng)基體相應(yīng)位置的位置為超疏水區(qū),疏水微圖案之外的部分為超親水區(qū);所述橫流道沿兩端向中間位置所述區(qū)域內(nèi)疏水微圖案?jìng)€(gè)數(shù)遞減,即相鄰疏水微圖案間的間距逐漸遞增,因而在橫流道內(nèi)從兩端到中心形成疏水到親水的潤(rùn)濕梯度,潤(rùn)濕梯度能驅(qū)動(dòng)液滴自發(fā)運(yùn)動(dòng);所述的豎流道設(shè)計(jì)成楔形流道,末端為檢測(cè)區(qū),豎流道的楔形結(jié)構(gòu)能驅(qū)動(dòng)融合后的液滴繼續(xù)運(yùn)動(dòng),直到混合液滴運(yùn)動(dòng)到流道末端的檢測(cè)區(qū)。
9.如權(quán)利要求8所述的基于SERS檢測(cè)的微流控芯片,其特征在于:所述的豎流道為楔形流道,其中楔形角為4~8°。
10.如權(quán)利要求9所述的基于SERS檢測(cè)的微流控芯片在同時(shí)檢測(cè)液體待分析物中的應(yīng)用,其特征在于:所述的應(yīng)用方法按以下步驟進(jìn)行:
(1)配置1~100nM含待分析物的溶液和濃度為0.3~0.5mM的Au納米粒子溶液;
(2)在T形流道的橫流道其中一個(gè)流道進(jìn)口處滴入5~10μL的Au納米粒子溶液,同時(shí),在另一個(gè)流道進(jìn)口處滴入5~10μL的含待分析物的溶液;
(3)兩個(gè)液滴在橫流道交匯處融合,并在豎流道內(nèi)充分混合后運(yùn)動(dòng)到豎流道末端的制定檢測(cè)區(qū),在檢測(cè)區(qū)進(jìn)行原位的拉曼檢測(cè)定,得到混合溶液的SERS光譜圖,從而可以確定含待分析物的溶液中待分析物的濃度。
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