[發(fā)明專利]一種用于太陽(yáng)能電池吸收層的銅銦鎵硒薄膜的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610270035.6
• 申請(qǐng)日: 2016-04-26
• 公開（公告）號(hào): CN105762210B
• 公開（公告）日: 2017-07-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杜祖亮;程軻;韓凱凱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 河南大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/0392
• 分類號(hào): H01L31/0392;H01L31/18
• 代理公司: 鄭州聯(lián)科專利事務(wù)所(普通合伙)41104
• 代理人: 時(shí)立新,周闖

1. 一種用于太陽(yáng)能電池吸收層的銅銦鎵硒薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：①在鍍鉬的鈉鈣玻璃基底上制備銅銦鎵預(yù)置層；所述銅銦鎵預(yù)置層采用直流磁控共濺射法制備，具體過程如下：將鍍鉬的鈉鈣玻璃基底放入磁控濺射腔室中，共濺射CuIn合金靶和CuGa合金靶制備銅銦鎵預(yù)置層，本底真空為4~5×10^-4 Pa，工作壓強(qiáng)0.7~0.8 Pa，CuIn合金靶的濺射功率為90 W，CuGa合金靶的濺射功率為20 W，濺射時(shí)間60 min；②將銅銦鎵預(yù)置層放入快速退火爐中，25~30s內(nèi)升溫至280~285℃，保溫20~30min，然后采用固態(tài)硒源在560~565℃下硒化20~30min，自然冷卻至室溫，即可得到銅銦鎵硒薄膜。

2.如權(quán)利要求1所述銅銦鎵硒薄膜的制備方法，其特征在于，CuIn合金靶的原子數(shù)比為Cu:In=1:4，CuGa合金靶的原子數(shù)比例Cu:Ga=4:1。