[發明專利]高壓N型LDMOS器件及工藝方法有效
| 申請號： | 201610269875.0 | 申請日： | 2016-04-27 |
| 公開（公告）號： | CN105957880B | 公開（公告）日： | 2019-04-09 |
| 發明（設計）人： | 段文婷 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高壓 ldmos 器件 工藝 方法 | ||
【說明書】：
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