[發明專利]一種深度穩定性檢測方法

有效

• 申請號: 201610269813.X
• 申請日: 2016-04-27
• 公開（公告）號: CN107316821B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 姜海濤
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種深度穩定性檢測方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：提供一基板，所述基板中設有若干從所述基板上表面往下延伸的凹陷部；

S2：在所述凹陷部內填充滿填充物；

S3：去除所述凹陷部外多余的填充物，直至露出所述基板上表面；

S4：通過干法刻蝕清除所述凹陷部內所有的填充物，并記錄刻蝕時長；

S5：將所述刻蝕時長與預設標準時長進行比較，若二者差值在預設范圍內，則判斷所述凹陷部的深度穩定；若二者差值超過預設范圍，則判斷所述凹陷部深度異常。

2.根據權利要求1所述的深度穩定性檢測方法，其特征在于：所述預設標準時長與所述步驟S4中干法刻蝕所采用的刻蝕速率相對應。

3.根據權利要求1所述的深度穩定性檢測方法，其特征在于：于所述步驟S5中，當所述刻蝕時長與預設標準時長的差值不超過所述預設標準時長的20％時，則判斷所述凹陷部的深度穩定。

4.根據權利要求1所述的深度穩定性檢測方法，其特征在于：所述凹陷部為凹孔或凹槽。

5.根據權利要求1所述的深度穩定性檢測方法，其特征在于：所述凹陷部的深寬比大于2。

6.根據權利要求1所述的深度穩定性檢測方法，其特征在于：所述填充物的材料包括光阻、二氧化硅中的任意一種。

7.根據權利要求1所述的深度穩定性檢測方法，其特征在于：所述基板的材料包括硅、氧化硅、碳化硅、氮化硅、鍺硅、鍺中的任意一種。

8.根據權利要求1所述的深度穩定性檢測方法，其特征在于：通過干法刻蝕或化學機械研磨法去除所述凹陷部外多余的填充物。

9.根據權利要求8所述的深度穩定性檢測方法，其特征在于：通過終點偵測技術判斷刻蝕終點或化學機械研磨終點，直至露出所述基板上表面。

10.根據權利要求1所述的深度穩定性檢測方法，其特征在于：清除所述凹陷部內的填充物 時，通過終點偵測技術判斷刻蝕終點。