[發(fā)明專利]一種過流保護(hù)電路及液晶顯示器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610269787.0 | 申請(qǐng)日: | 2016-04-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105790206B | 公開(公告)日: | 2018-07-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張先明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H02H3/08 | 分類號(hào): | H02H3/08 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強(qiáng) |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 偵測(cè)電壓 支路 參考電壓 過流保護(hù)電路 偵測(cè)電路 液晶顯示器 修正 預(yù)設(shè) | ||
1.一種過流保護(hù)電路,其特征在于,所述過流保護(hù)電路包括偵測(cè)電路、第一保護(hù)支路及第二保護(hù)支路,所述偵測(cè)電路用于實(shí)時(shí)偵測(cè)所述過流保護(hù)電路的輸出端的電流,并根據(jù)所述過流保護(hù)電路的輸出端的電流得到第一偵測(cè)電壓,所述第一保護(hù)支路將所述第一偵測(cè)電壓與第一參考電壓進(jìn)行比較,當(dāng)所述第一偵測(cè)電壓小于所述第一參考電壓時(shí),所述第二保護(hù)支路根據(jù)第一次工作時(shí)的第一偵測(cè)電壓得到基準(zhǔn)偵測(cè)電壓,當(dāng)所述第一偵測(cè)電壓小于所述第一參考電壓時(shí),所述偵測(cè)電路實(shí)時(shí)偵測(cè)過流保護(hù)電路的輸出端的電流,并根據(jù)所述過流保護(hù)電路的輸出端的電流得到第二偵測(cè)電壓,所述第二保護(hù)支路將所述第二偵測(cè)電壓與第二參考電壓進(jìn)行比較,當(dāng)所述第二偵測(cè)電壓大于或等于所述第二參考電壓時(shí),所述第二保護(hù)支路切斷所述過流保護(hù)電路的輸入端的電流輸入,其中,所述第二參考電壓等于所述基準(zhǔn)偵測(cè)電壓加上預(yù)設(shè)初始值,其中,所述預(yù)設(shè)初始值為正數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的過流保護(hù)電路,其特征在于,所述第一保護(hù)支路包括第一電壓比較器及第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管,所述第一電壓比較器的同相輸入端接收所述第一偵測(cè)電壓,所述第一電壓比較器的反相輸入端接收所述第一參考電壓,所述第一電壓比較器的輸出端電連接所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極,所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極電連接所述過流保護(hù)電路的輸入端,所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極接地,所述第一電壓比較器用于將所述第一偵測(cè)電壓與所述第一參考電壓進(jìn)行比較,當(dāng)所述第一偵測(cè)電壓小于所述第一參考電壓時(shí),所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管斷開。
3.如權(quán)利要求2所述的過流保護(hù)電路,其特征在于,所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管為NMOS,當(dāng)所述第一偵測(cè)電壓小于所述第一參考電壓時(shí),所述第一電壓比較器產(chǎn)生低電平,且所述低電平通過所述第一電壓比較器的輸出端輸出,所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管根據(jù)所述第一電壓比較器的輸出端輸出的低電平斷開。
4.如權(quán)利要求1所述的過流保護(hù)電路,其特征在于,所述第二保護(hù)支路包括第二電壓比較器及第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管,所述第二電壓比較器的同相輸入端接收所述第二偵測(cè)電壓,所述第二電壓比較器的反相輸入端接收所述第二參考電壓,所述第二電壓比較器的輸出端電連接所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極,所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極電連接所述過流保護(hù)電路的輸入端,所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極接地,所述第二電壓比較器用于將所述第二偵測(cè)電壓與所述第二參考電壓進(jìn)行比較,當(dāng)所述第二偵測(cè)電壓大于或等于所述第二參考電壓時(shí),所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通。
5.如權(quán)利要求4所述的過流保護(hù)電路,其特征在于,所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管為NMOS,當(dāng)所述第二偵測(cè)電壓大于或等于所述第二參考電壓時(shí),所述第二電壓比較器產(chǎn)生高電平,所述高電平通過所述第二電壓比較器的輸出端輸出,所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管根據(jù)所述第二電壓比較器的輸出端輸出的高電平導(dǎo)通。
6.如權(quán)利要求4所述的過流保護(hù)電路,其特征在于,所述第二保護(hù)支路還包括加法運(yùn)算器,所述加法運(yùn)算器包括第一輸入端、第二輸入端及輸出端,所述第一輸入端接收所述基準(zhǔn)偵測(cè)電壓,所述第二輸入端接收所述預(yù)設(shè)初始值,所述加法運(yùn)算器用于將所述基準(zhǔn)偵測(cè)電壓加上所述預(yù)設(shè)初始值以得到所述第二參考電壓,所述第二參考電壓經(jīng)由所述加法運(yùn)算器的輸出端輸出。
7.如權(quán)利要求1所述的過流保護(hù)電路,其特征在于,當(dāng)所述第一偵測(cè)電壓大于或等于所述第一參考電壓時(shí),所述第一保護(hù)支路切斷所述過流保護(hù)電路的輸入端的電流輸入。
8.如權(quán)利要求1所述的過流保護(hù)電路,其特征在于,所述偵測(cè)電路包括電流偵測(cè)電路和電流電壓轉(zhuǎn)換器,所述電流偵測(cè)電路偵測(cè)所述過流保護(hù)電路的輸出端的電流信號(hào),并將電流信號(hào)放大以得到有效電流信號(hào),所述電流電壓轉(zhuǎn)換器接收所述有效電流信號(hào),并將所述有效電流信號(hào)轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)的電壓信號(hào)。
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