[發(fā)明專(zhuān)利]一種MEMS運(yùn)動(dòng)傳感器產(chǎn)品硅片的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610269072.5
• 申請(qǐng)日: 2016-04-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105947969B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐愛(ài)斌;王俊杰;熊磊
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): B81C1/00
• 分類(lèi)號(hào): B81C1/00;B81C3/00
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司31211
• 代理人: 丁紀(jì)鐵

1.一種MEMS運(yùn)動(dòng)傳感器產(chǎn)品硅片的制造方法，包括如下步驟：

步驟一，提供一片包含若干孤島的空腔圖形的第一硅片和一片空白的第二硅片通過(guò)SOI工藝鍵合在一起，并將第二硅片減薄；

步驟二，在所述第二硅片表面沉積一層金屬，并光刻形成后續(xù)鍵合所用的金屬圖案；

步驟三，在所述第二硅片表面涂抹光刻膠，并光罩顯影出MEMS運(yùn)動(dòng)傳感器的懸臂梁結(jié)構(gòu)圖案；

步驟四，干法深硅刻蝕所述第二硅片至露出下層空腔，形成MEMS運(yùn)動(dòng)傳感器的可移動(dòng)懸臂梁結(jié)構(gòu)；

步驟五，干法ASH工藝除去所述第二硅片表面的剩余光刻膠和部分蝕刻形成的聚合物；

步驟六，濕法清洗工藝去除剩余的聚合物，所述濕法清洗工藝采用EKC或ACT溶液以及異丙醇蒸汽干燥方式；

所述濕法清洗工藝包括：帶水的硅片傳入異丙醇蒸汽室，異丙醇蒸汽不斷通入，吸收水分，然后被抽出，同時(shí)檢測(cè)室內(nèi)水含量，直到顯示干燥終點(diǎn)使MEMS運(yùn)動(dòng)傳感器的懸臂梁和空腔完全干燥，使得相鄰的懸臂梁不會(huì)粘連；

步驟七，所述第二硅片與另一片含鋁圖形的CMOS硅片通過(guò)金屬共晶鍵合在一起， 形成MEMS產(chǎn)品硅片。

2.如權(quán)利要求1所述的MEMS運(yùn)動(dòng)傳感器產(chǎn)品硅片的制造方法，其特征在于，所述空腔深度為40微米-100微米。

3.如權(quán)利要求1所述的MEMS運(yùn)動(dòng)傳感器產(chǎn)品硅片的制造方法，其特征在于，所述第二硅片厚度為30微米-50微米。

4.如權(quán)利要求1所述的MEMS運(yùn)動(dòng)傳感器產(chǎn)品硅片的制造方法，其特征在于，所述第二硅片表面沉積的一層金屬為鍺。

5.如權(quán)利要求1所述的MEMS運(yùn)動(dòng)傳感器產(chǎn)品硅片的制造方法，其特征在于，所述干法深硅刻蝕工藝采用的氣體為六氟化硫以及八氟環(huán)丁烷。

6.如權(quán)利要求1所述的MEMS運(yùn)動(dòng)傳感器產(chǎn)品硅片的制造方法，其特征在于，所述干法ASH工藝采用的氣體為純氧氣，或氧氣及四氟化碳。

7.如權(quán)利要求1所述的MEMS運(yùn)動(dòng)傳感器產(chǎn)品硅片的制造方法，其特征在于，所述金屬共晶鍵合采用鋁鍺鍵合工藝。