[發明專利]發光二極管及其制備方法

有效

• 申請號: 201610267717.1
• 申請日: 2016-04-27
• 公開（公告）號: CN105720160B
• 公開（公告）日: 2018-01-12
• 發明（設計）人: 舒立明;葉大千;王良均;劉曉峰;吳超瑜;王篤祥;張東炎;陳沙沙
• 申請（專利權）人: 天津三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.發光二極管，包括第一類型氮化物區、發光區和第二類型氮化物區，其特征在于：所述第一類型氮化物區包含第一氮化物層和第二氮化物層，所述第一氮化物層和第二氮化物層交替設置，具有多個循環，所述第二氮化物層的摻雜濃度大于第一氮化物層的摻雜濃度，且第二氮化物層具有指向第一氮化物層的高摻發射點，使得電子趨向于通過該點從第n-1個循環內第二氮化物層流向第n個循環內第二氮化物層。

2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述第一氮化物層的摻雜濃度介于1×10¹⁷/cm³~1×10¹⁹/cm³之間。

3.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述第二氮化物層的摻雜濃度大于或等于1×10²⁰/cm³。

4.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述第二類型氮化物區包含第三氮化物層和第四氮化物層，所述第三氮化物層和第四氮化物層交替設置，具有多個循環，所述第四氮化物層的摻雜濃度大于第三氮化物層的摻雜濃度，且第四氮化物層具有指向第三氮化物層的高摻發射點，使得空穴趨向于通過該點從第n個循環內第四氮化物層流向第n-1個循環內的第四氮化物層。

5.根據權利要求4所述的發光二極管，其特征在于：所述第三氮化物層的摻雜濃度介于1×10¹⁷/cm³~1×10¹⁹/cm³之間。

6.根據權利要求4所述的發光二極管，其特征在于：所述第四氮化物層的摻雜濃度大于或等于1×10²⁰/cm³。

7.根據權利要求4所述的發光二極管，其特征在于：所述第一類型氮化物區中具有發射點的第二氮化物層的數量≥2，所述第二類型氮化物區中具有發射點的第四氮化物層的數量≥2。

8.根據權利要求7所述的發光二極管，其特征在于：所述第一類型氮化物區中的第二氮化物層的摻雜濃度保持恒定、漸變或高斯分布，所述第二類型氮化物區中的第四氮化物層的摻雜濃度保持恒定、漸變或高斯分布。

9.根據權利要求7所述的發光二極管，其特征在于：所述第一類型氮化物區中相鄰的第二氮化物層中的發射點在發光層上的投影不完全重合，所述第二類型氮化物區中相鄰的第四氮化物層中的發射點在發光層上的投影不完全重合。

10.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述第一氮化物層、第三氮化物層中具有一系列孔洞，所述第二氮化物層、第四氮化物層填充所述孔洞，并在所述孔洞處形成所述的發射點。

11.根據權利要求10所述的發光二極管，其特征在于：所述孔洞的尺寸為納米級。

12.發光二極管的制備方法，包括形成第一類型氮化物區、發光區和第二類型氮化物區的步驟，其特征在于：所形成的第一類型氮化物區包含第一氮化物層和第二氮化物層，所述第一氮化物層和第二氮化物層交替設置，具有多個循環，所述第二氮化物層的摻雜濃度大于第一氮化物層的摻雜濃度，且第二氮化物層具有指向第一氮化物層的高摻發射點，使得電子趨向于通過該點從第n-1個循環內第二氮化物層流向第n個循環內第二氮化物層。

13.根據權利要求12所述的發光二極管的制備方法，其特征在于：所形成的第二類型氮化物區包含第三氮化物層和第四氮化物層，所述第三氮化物層和第四氮化物層交替設置，具有多個循環，所述第四氮化物層的摻雜濃度大于第三氮化物層的摻雜濃度，且第四氮化物層具有指向第三氮化物層的高摻發射點，使得空穴趨向于通過該點從第n個循環內第四氮化物層流向第n-1個循環內的第四氮化物層。