[發明專利]背照式CMOS圖像傳感器的制備方法

有效

• 申請號: 201610266685.3
• 申請日: 2016-04-26
• 公開（公告）號: CN107316878B
• 公開（公告）日: 2020-03-13
• 發明（設計）人: 張進創;管術俊;陳立峰;葉文源
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（天津）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種背照式CMOS圖像傳感器的制備方法，包括：

提供一襯底，所述襯底具有前側以及與所述前側相對的背側；

對所述襯底的前側進行離子注入，在所述襯底中形成一具有一定厚度的摻雜埋層，所述摻雜埋層具有一平均深度，所述離子注入的能量大于等于1000Kev，所述離子注入的過程為多步注入的過程；

在所述襯底的前側制備圖像傳感器結構；

對所述襯底的背側減薄至所述摻雜埋層；以及

在所述襯底的背側制備微透鏡結構。

2.如權利要求1所述的背照式CMOS圖像傳感器的制備方法，其特征在于，所述對所述襯底的前側進行離子注入的步驟包括：

分別對所述襯底的前側進行兩次以上的子步離子注入，前一次子步離子注入的能量大于后一次子步離子注入的能量。

3.如權利要求2所述的背照式CMOS圖像傳感器的制備方法，其特征在于，對所述襯底的背側減薄至所述摻雜埋層后，暴露出的所述摻雜埋層的表面的雜質濃度大于所述摻雜埋層的底部的雜質濃度。

4.如權利要求1或2或3所述的背照式CMOS圖像傳感器的制備方法，其特征在于，所述離子注入的類型為P型。

5.如權利要求4所述的背照式CMOS圖像傳感器的制備方法，其特征在于，所述離子注入的雜質為一價硼或二價硼。

6.如權利要求5所述的背照式CMOS圖像傳感器的制備方法，其特征在于，所述離子注入的能量為1300Kev～1500Kev。

7.如權利要求5所述的背照式CMOS圖像傳感器的制備方法，其特征在于，所述離子注入的劑量為5.0E11cm^-3～1.0E13cm^-3。

8.如權利要求1或2或3所述的背照式CMOS圖像傳感器的制備方法，其特征在于，所述摻雜埋層距所述襯底的前側表面的平均深度為

9.如權利要求1或2或3所述的背照式CMOS圖像傳感器的制備方法，其特征在于，所述摻雜埋層的厚度為

10.如權利要求1所述的背照式CMOS圖像傳感器的制備方法，其特征在于，利用制備所述圖像傳感器結構過程中的退火工藝，對所述摻雜埋層進行退火。

11.如權利要求1所述的背照式CMOS圖像傳感器的制備方法，其特征在于，減薄后的所述襯底的厚度為

12.如權利要求1所述的背照式CMOS圖像傳感器的制備方法，其特征在于，對所述襯底的背側減薄至所述摻雜埋層的步驟中，去除部分所述摻雜埋層。

13.如權利要求12所述的背照式CMOS圖像傳感器的制備方法，其特征在于，減薄后的所述襯底中，剩余的所述摻雜埋層的厚度為

14.如權利要求1所述的背照式CMOS圖像傳感器的制備方法，其特征在于，對所述襯底的前側進行離子注入之前，在所述襯底的前側制備一氧化層。

15.如權利要求14所述的背照式CMOS圖像傳感器的制備方法，其特征在于，所述氧化層的厚度為

16.如權利要求1所述的背照式CMOS圖像傳感器的制備方法，其特征在于，在所述襯底的背側制備微透鏡結構的步驟包括：

在所述襯底的背側制備一抗反射層，所述抗反射層覆蓋暴露出的所述摻雜埋層；

在所述抗反射層背離所述襯底的一側依次制備背側金屬、背側鈍化層、濾光片以及微透鏡。