[發(fā)明專利]反射式單級衍射光柵及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610266673.0 | 申請日： | 2016-04-26 |
| 公開（公告）號： | CN107315211A | 公開（公告）日： | 2017-11-03 |
| 發(fā)明（設計）人： | 朱效立;謝常青;劉明;牛潔斌;華一磊;施百齡 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | G02B5/18 | 分類號： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 北京匯澤知識產權代理有限公司11228 | 代理人： | 張瑾 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 反射 式單級 衍射 光柵 及其 制造 方法 | ||
1.一種反射式單級衍射光柵，其特征在于，基底上隨機分布光柵圖形，所述光柵圖形為由兩層材料組成的深槽結構，所述深槽結構的下層材料為硅基底，上層材料為高反射率膜層，所述深槽結構的深度和寬度之比值大于0.5。
2.根據權利要求1所述的反射式單級衍射光柵，其特征在于，所述基底的厚度在10mm以上，所述基底由標準硅基底與體硅基底鍵合在一起構成。
3.根據權利要求2所述的反射式單級衍射光柵，其特征在于，所述基底的表面粗糙度小于0.5nm。
4.根據權利要求1-3中任一項所述的反射式單級衍射光柵，其特征在于，所述高反射率膜層為金、Cr或者周期性反射膜。
5.根據權利要求4所述的反射式單級衍射光柵，其特征在于，所述反射式單級衍射光柵的工作波長為1nm-100nm。
6.一種反射式單級衍射光柵的制造方法，其特征在于，包括：
在標準硅基底上進行電子束光刻，形成隨機分布的光刻膠圖形；
利用等離子體刻蝕將所述光刻膠圖形轉移為硅深槽型刻蝕結構，形成硅光柵圖形；
利用低溫金金鍵合技術，將標準硅基底與體硅基底鍵合在一起；
在硅光柵圖形表面濺射高反射率膜層，形成的深槽結構的深度和寬度之比值大于0.5。
7.根據權利要求6所述的反射式單級衍射光柵的制造方法，其特征在于，所述由標準硅基底與體硅基底鍵合在一起構成的基底的厚度在10mm以上。
8.根據權利要求7所述的反射式單級衍射光柵的制造方法，其特征在于，所述基底的表面粗糙度小于0.5nm。
9.根據權利要求6-8中任一項所述的反射式單級衍射光柵的制造方法，其 特征在于，所述高反射率膜層為金、Cr或者周期性反射膜。
10.根據權利要求9所述的反射式單級衍射光柵的制造方法，其特征在于，所述反射式單級衍射光柵的工作波長為1nm-100nm。
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