[發明專利]有機電致發光元件在審
| 申請號: | 201610266488.1 | 申請日: | 2012-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN105679965A | 公開(公告)日: | 2016-06-15 |
| 發明(設計)人: | 福浦知浩 | 申請(專利權)人: | 住友化學株式會社 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;B82Y20/00 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 葛凡 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發光 元件 | ||
本申請是申請日為2012年03月30日、申請號為201280016444.3、 發明名稱為“有機電致發光元件”的申請的分案申請。
技術領域
本發明涉及利用金屬系粒子集合體的等離子振子共振來實現發光增 強的有機電致發光元件(以下也稱為有機EL元件)。
背景技術
以往已知若將金屬粒子微細化至納米尺寸,則能夠發揮出在大體積 (バルク)狀態下所無法看到的功能,其中,受到期待的應用是“局域等 離子振子共振”。等離子振子是指由金屬納米結構體中的自由電子的集體 的振動而發生的自由電子的壓縮波。
近年來,上述操縱等離子振子的技術領域被稱為“電漿(plasmonics、 プラズモニクス)”且受到很大的關注,同時已在進行積極的研究,所述 的研究的目的在于,提高利用金屬納米粒子的局域等離子振子共振現象的 發光元件的發光效率。
例如,日本特開2007-139540號公報(專利文獻1)、日本特開平 08-271431號公報(專利文獻2)和國際公開第2005/033335號(專利 文獻3)中公開了利用局域等離子振子共振現象而使熒光增強的技術。另 外,T.FukuuraandM.Kawasaki,"LongRangeEnhancement ofMolecularFluorescencebyCloselyPackedSubmicro-scale AgIslands",e-JournalofSurfaceScienceandNanotechnology, 2009,7,653(非專利文獻1)中展示出與基于銀納米粒子的局域等離 子振子共振相關的研究。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2007-139540號公報
專利文獻2:日本特開平08-271431號公報
專利文獻3:國際公開第2005/033335號
非專利文獻
非專利文獻1:T.FukuuraandM.Kawasaki,"LongRange EnhancementofMolecularFluorescencebyCloselyPacked Submicro-scaleAgIslands",e-JournalofSurfaceScienceand Nanotechnology,2009,7,653
發明內容
近年來,用于將有機EL元件應用于顯示裝置、照明裝置的研究開發 在積極地進行中,一部分已被實用化。但是,現狀中,有機EL元件的發 光效率因如下的理由而停留在較低的值,強烈希望能夠提高該值。
(a)難以開發出發光效率和耐久性高且適于批量生產的有機發光材料。 有機發光材料中,能夠通過濕式工藝成膜的發光性高分子在批量生產性的 方面被視為極具潛力,其中,在發光效率的方面,磷光發光性的高分子被 視為極具潛力,但是現狀是,具有耐久性高的分子結構且顯示出足夠高的 發光效率的發光性高分子的分子設計及其實現并不容易。其中,藍色(或 其附近波長區域)有機發光材料(尤其是藍色有機磷光發光材料)的開發 極其困難。這是因為:不僅需要耐受實用的強韌的分子結構,而且為了實 現深藍色即400nm前后的短波長下的發光,還需要例如犧牲分子的穩定 性,使分子結構內的π共軛系變小而擴大帶隙。
(b)光取出效率低。有機EL元件由包含發光層、電極層的薄膜層疊 體構成,因此從發光層發出的光在向元件外部放射的過程中會通過單層或 多層。一般而言,發光層與其以外的層的折射率相異,因此,在層界面中 產生光的反射,尤其在層界面中被全反射的光沒有被放射到元件外部就被 關入到內部,作為焦耳熱而進行逸散。因而,現狀中,在有機EL元件中 可利用的光(被放射到元件外部的光)的強度停留在發光層所產生的光的 強度的最多數十%。
將解決這樣的有機EL元件的課題且提高其發光效率作為目的,不斷 研究了以前述那樣的金屬納米粒子為代表的等離子振子材料在有機EL元 件中的應用。但是,對于利用了金屬納米粒子的局域等離子振子共振現象 的以往的發光增強而言,存在如下所述的課題。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





