[發明專利]一種雙分裂溝槽柵電荷存儲型IGBT及其制造方法有效
| 申請號： | 201610266350.1 | 申請日： | 2016-04-26 |
| 公開（公告）號： | CN105932042B | 公開（公告）日： | 2018-09-21 |
| 發明（設計）人： | 張金平;廖航;劉瑋琪;劉競秀;李澤宏;任敏;張波 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/331 |
| 代理公司： | 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛啟函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 分裂 溝槽 電荷 存儲 igbt 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于電子科技大學，未經電子科技大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610266350.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
