[發明專利]一種掩膜版及彩色濾光片基板的制備方法有效
| 申請號： | 201610265438.1 | 申請日： | 2016-04-26 |
| 公開（公告）號： | CN105717737B | 公開（公告）日： | 2019-08-02 |
| 發明（設計）人： | 賀暉 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/54 | 分類號： | G03F1/54;G03F1/32;G02B5/20 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 518006 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 掩膜版 彩色 濾光 片基板 制備 方法 | ||
1.一種彩色濾光片基板的制備方法，包括在襯底基板上形成黑矩陣，其特征在于，所述在襯底基板上形成黑矩陣的步驟，包括：
在所述襯底基板上涂覆一層黑色光刻膠材料，形成黑色光刻膠材料層；
采用掩膜版對所述黑色光刻膠材料層進行曝光；
進行顯影，以在所述襯底基板上形成黑矩陣；
其中，所述掩膜版包括：
基板；
多個遮光部，分別間隔設置在所述基板的表面；
多個半透光部，分別緊靠多個所述遮光部的兩側邊而設置，其中，在相鄰的兩個所述遮光部之間，相鄰的兩個所述半透光部之間形成透光區域；
其中，所述黑色光刻膠材料層經過曝光后，分為第一曝光區、第二曝光區及第三曝光區，所述第一曝光區對應所述掩膜版的遮光部，所述第二曝光區對應所述掩膜版的半透光部，所述第三曝光區對應所述掩膜版的透光區域，其中所述第三曝光區、第二曝光區及第一曝光區的曝光量依次減小；
其中，在顯影時，所述第一曝光區、第二曝光區及第三曝光區在同等條件下的溶解度依次減小；
其中，所述進行顯影，以在所述襯底基板上形成黑矩陣具體包括：將曝光后的襯底基板至于顯影液中，以將所述第一曝光區及第二曝光區完全去除，留下所述第三曝光區，以使所述第三曝光區域的寬度等于所述透光區域的寬度。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，
所述黑矩陣的寬度等于所述掩膜版上所述透光區域的寬度。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，
所述半透光部的材料為灰色調掩膜版或半色調掩膜版所使用的材料。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市華星光電技術有限公司，未經深圳市華星光電技術有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610265438.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：感光性樹脂組合物及其應用
- 下一篇：一種頭部方便轉動的雨衣
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
