[發(fā)明專利]MEMS麥克風(fēng)及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610262874.3 | 申請(qǐng)日: | 2016-04-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105792084B | 公開(公告)日: | 2020-02-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王琳琳;周曄;劉政諺;劉雨微;孟珍奎 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 瑞聲聲學(xué)科技(深圳)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H04R19/04 | 分類號(hào): | H04R19/04;H04R31/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518057 廣東省深圳市南山區(qū)高*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | mems 麥克風(fēng) 及其 制造 方法 | ||
1.一種MEMS麥克風(fēng),其特征在于,包括具有背腔的基底以及設(shè)置在所述基底上的電容系統(tǒng),所述電容系統(tǒng)包括背板以及與所述背板相對(duì)的振膜,所述背板與所述振膜間隔設(shè)置并形成聲腔,所述振膜遠(yuǎn)離所述聲腔的一側(cè)設(shè)有應(yīng)力層,所述振膜與所述應(yīng)力層之間還設(shè)有保護(hù)層,所述應(yīng)力層朝所述基底的正投影位于所述基底上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng),其特征在于,所述應(yīng)力層為壓縮應(yīng)力的氧化硅材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng),其特征在于,所述應(yīng)力層為拉伸應(yīng)力的氮化硅材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng),其特征在于,所述應(yīng)力層通過熱氧化法或沉積法形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng),其特征在于,所述振膜與所述應(yīng)力層之間還設(shè)有第一絕緣層,所述第一絕緣層夾設(shè)于所述保護(hù)層與所述振膜之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的MEMS麥克風(fēng),其特征在于,所述背板與所述振膜之間還設(shè)有第二絕緣層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng),其特征在于,所述背板開設(shè)有多個(gè)連通所述聲腔和所述背腔的聲學(xué)孔,且所述背板朝向所述聲腔的表面還設(shè)有多個(gè)用于防止所述背板與所述振膜電導(dǎo)通的絕緣凸起。
8.一種MEMS麥克風(fēng)的制造方法,其特征在于,包括如下步驟:
提供基底,在所述基底上制作具有背板和振膜的電容系統(tǒng),所述背板與所述振膜間隔設(shè)置并形成聲腔,且所述背板開設(shè)有多個(gè)貫穿的聲學(xué)孔;
在所述振膜遠(yuǎn)離所述聲腔的一側(cè)制作保護(hù)層、應(yīng)力層,所述應(yīng)力層朝所述基底的正投影位于所述基底上;
在所述振膜頂部蝕刻形成前腔,以及在所述基底底部蝕刻形成直達(dá)所述背板的背腔。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的MEMS麥克風(fēng)的制造方法,其特征在于,在提供基底,在所述基底上制作具有背板和振膜的電容系統(tǒng),所述背板與所述振膜間隔設(shè)置并形成聲腔,且所述背板開設(shè)有多個(gè)貫穿的聲學(xué)孔的步驟中,包括以下具體步驟:
提供基底,在所述基底表面依次疊設(shè)絕緣層、背板和第二絕緣層;
對(duì)所述第二絕緣層和所述背板的中間主體區(qū)域進(jìn)行蝕刻處理,形成貫穿所述第二絕緣層的聲腔和多個(gè)貫穿所述背板的聲學(xué)孔,且所述第二絕緣層被多個(gè)所述聲學(xué)孔分隔形成多個(gè)絕緣凸起,從而形成第一晶圓;
提供保護(hù)層,在所述保護(hù)層下表面加工第一絕緣層,然后在所述第一絕緣層表面依次疊設(shè)振膜和部分第二絕緣層,從而形成第二晶圓;
將所述第二晶圓進(jìn)行翻轉(zhuǎn),并通過鍵合工藝將所述第二晶圓與所述第一晶圓合為一體。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的MEMS麥克風(fēng)的制造方法,其特征在于,在所述振膜頂部蝕刻形成前腔,以及在所述基底底部蝕刻形成直達(dá)所述背板的背腔的步驟后,還包括以下步驟:
蝕刻形成貫穿所述應(yīng)力層、保護(hù)層以及第一絕緣層的第一連接孔和貫穿所述應(yīng)力層、保護(hù)層、第一絕緣層、振膜以及第二絕緣層的第二連接孔;
在所述第一連接孔和第二連接孔內(nèi)分別蝕刻形成兩個(gè)連接盤;
對(duì)兩個(gè)所述連接盤進(jìn)行金屬化,以形成位于所述第一連接孔內(nèi)的第一電極和位于所述第二連接孔內(nèi)的第二電極。
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