[發明專利]一種半導體處理裝置及處理基片的方法

有效

• 申請號: 201610259760.3
• 申請日: 2016-04-25
• 公開（公告）號: CN107306473B
• 公開（公告）日: 2019-04-30
• 發明（設計）人: 吳狄;黃智林
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）股份有限公司
• 主分類號: H05H1/46
• 分類號: H05H1/46;H01L21/3065
• 代理公司: 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249
• 代理人: 朱成之

1.一種等離子體處理裝置，其中，包括：

反應腔體，包括由頂板及反應腔側壁圍成的密封的反應腔，所述頂板構成絕緣材料窗；

基片支撐裝置，其設置于所述反應腔內的所述絕緣材料窗下方；

射頻功率發射裝置，其設置于所述絕緣材料窗上方，以發射射頻能量到所述反應腔內；

反應氣體注入器，其用于向所述反應腔內供應反應氣體；

載流氣體注入器，其設置于所述反應氣體注入器下方，所述載流氣體注入器連接一氣體控制器，所述氣體控制器控制載流氣體經載流氣體注入器注入反應腔的流速。

2.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述載流氣體為不參與所述反應氣體反應的非反應氣體。

3.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述載流氣體注入器為設置在所述反應腔體側壁上的氣體通孔。

4.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述載流氣體注入器為貫穿所述反應腔體側壁并向反應腔內延伸一距離的氣體噴嘴。

5.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述反應氣體注入器下方設置一帶有中間開口的環形擋板，所述載流氣體注入器為貫穿所述反應腔體側壁與所述環形擋板的氣體通孔。

6.根據權利要求5所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述載流氣體注入器在所述擋板內部沿著所述環形擋板的半徑方向呈輻射狀分布。

7.根據權利要求5所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述載流氣體注入器至少部分的偏離所述環形擋板的半徑方向貫穿所述環形擋板的環形部分，實現在所述擋板內部不規則的分布。

8.根據權利要求1-7中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于，若干所述載流氣體注入器的內徑設置為一個或一個以上的尺寸。

9.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述載流氣體注入器通過所述氣體控制器與一載流氣體源相連，所述氣體控制器為氣體流量控制器，所述氣體流量控制器可以控制進入載流氣體注入器的載流氣體的流速大小以及開關通斷。

10.一種等離子體處理裝置，其中，包括：

反應腔體，包括由頂板及反應腔側壁圍成的密封的反應腔，所述頂板構成絕緣材料窗；

基片支撐裝置，其設置于所述反應腔內的所述絕緣材料窗下方；

射頻功率發射裝置，其設置于所述絕緣材料窗上方，以發射射頻能量到所述反應腔內；

反應氣體注入器，其用于向所述反應腔內供應反應氣體；

載流氣體注入器，其設置于所述反應氣體注入器下方，用于向所述反應腔中心方向注入一定流速的載流氣體，具有一定流速的載流氣體在反應腔內形成向反應腔中心方向延伸一定距離的環形氣幕，所述環形氣幕限制所述反應氣體在反應腔內的擴散。

11.根據權利要求10所述的等離子體處理裝置，其特征在于：所述環形氣幕向中心方向延伸的距離與所述載流氣體的流速呈正相關函數。

12.根據權利要求10所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述載流氣體注入與一氣體流量控制器相連，所述氣體流量控制器控制所述載流氣體注入所述反應腔內的流速。

13.根據權利要求10所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述載流氣體注入器為設置在所述反應腔體側壁上的氣體通孔。

14.根據權利要求10所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述載流氣體注入器為貫穿所述反應腔體側壁并向反應腔內延伸一距離的氣體噴嘴。