[發(fā)明專利]一種半導體處理裝置及處理基片的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610258929.3 | 申請日： | 2016-04-25 |
| 公開（公告）號： | CN107305832A | 公開（公告）日： | 2017-10-31 |
| 發(fā)明（設計）人： | 黃允文 | 申請（專利權）人： | 中微半導體設備（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海信好專利代理事務所(普通合伙)31249 | 代理人： | 張靜潔,徐雯瓊 |
| 地址： | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 處理 裝置 方法 | ||
1.一種半導體處理裝置，其特征在于，所述裝置包括：
反應腔，包括由頂板及反應腔側(cè)壁圍成的密封的反應腔；
基片支撐裝置，其設置于所述反應腔內(nèi)的所述射頻窗下方；
反應氣體注入裝置，其用于向所述反應腔內(nèi)供應反應氣體；
加熱薄膜，緊鄰所述頂板上表面設置，包括加熱絲及包覆所述加熱絲的絕緣材料層；
所述加熱薄膜上設置開口，一排氣裝置通過所述開口將所述加熱薄膜與所述頂板上表面間的氣體排出，使所述加熱薄膜在大氣壓強的作用下與所述頂板貼合在一起。
2.如權利要求1所述的裝置，其特征在于：所述開口與所述排氣裝置之間設置一連接頭，所述連接頭與所述開口之間密封設置。
3.如權利要求1所述的裝置，其特征在于：所述半導體處理裝置還包括一射頻功率發(fā)射裝置，其設置于所述反應腔外部，以發(fā)射射頻能量到所述反應腔內(nèi)。
4.如權利要求1所述的裝置，其特征在于：所述頂板為絕緣材料構成的射頻窗。
5.如權利要求1所述的裝置，其特征在于：所述加熱絲為薄片狀結構，所述薄片狀加熱絲厚度小于1mm。
6.如權利要求1所述的裝置，其特征在于：所述加熱薄膜上設置若干個開口，每個開口連接一個連接頭。
7.如權利要求6所述的裝置，其特征在于：所述若干個開口均勻分布在所述加熱薄膜上。
8.如權利要求6所述的裝置，其特征在于：所述若干個連接頭分別連接一個排氣裝置或者連接同一個排氣裝置。
9.如權利要求1所述的裝置，其特征在于：所述加熱薄膜的邊緣區(qū)域設置密封部件，所述密封部件阻止加熱薄膜邊緣區(qū)域的氣體進入所述加熱薄膜與所述頂板之間。
10.如權利要求9所述的裝置，其特征在于：所述密封部件上方設置壓板。
11.如權利要求1所述的裝置，其特征在于：所述加熱薄膜的邊緣區(qū)域設置壓板。
12.如權利要求1所述的裝置，其特征在于：所述排氣裝置為真空泵或真空發(fā)生器。
13.一種在半導體處理裝置內(nèi)處理基片的方法，所述方法在上述權利要求1-12中任一項所述的反應腔內(nèi)進行，所述方法包括下列步驟：
放置待處理基片于基片支撐裝置上，向反應腔內(nèi)提供反應氣體；
向反應腔內(nèi)施加射頻功率將反應氣體激發(fā)為等離子體；
在等離子體對基片進行處理過程中，保持排氣裝置對加熱薄膜的開口抽真空，使得所述加熱薄膜在大氣壓強的作用下與所述頂板緊密貼合。
14.根據(jù)權利要求13所述的方法，其特征在于：在所述加熱薄膜的外圍設置一壓板，在所述排氣裝置對加熱薄膜開口抽真空過程中，所述壓板實現(xiàn)對加熱薄膜和所述頂板邊緣區(qū)域的密封設置。
15.根據(jù)權利要求13所述的方法，其特征在于：在所述壓板與所述加熱薄膜的邊緣區(qū)域設置一密封環(huán)，所述壓板施加壓力于所述密封環(huán)以實現(xiàn)對加熱薄膜和所述頂板邊緣區(qū)域的密封設置。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中微半導體設備（上海）有限公司，未經(jīng)中微半導體設備（上海）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610258929.3/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：一種阻抗匹配裝置和等離子體處理設備
- 下一篇：離子光學裝置
