[發明專利]半導體集成加工設備和半導體加工方法有效
| 申請號: | 201610258582.2 | 申請日: | 2016-04-22 |
| 公開(公告)號: | CN107316824B | 公開(公告)日: | 2020-10-16 |
| 發明(設計)人: | 方浩;劉凱 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/673;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京博雅睿泉專利代理事務所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人: | 王昭智;馬佑平 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 集成 加工 設備 方法 | ||
1.一種半導體集成加工設備,其特征在于,包括:
至少兩個工藝室(1);
連通所述工藝室(1)的高溫通道(2),所述高溫通道(2)具有保溫裝置;
傳輸裝置,所述傳輸裝置包括傳輸部(31)和驅動部(32),所述驅動部(32)設置在所述工藝室(1)和高溫通道(2)之外,所述傳輸部(31)設置在所述驅動部(32)的端部,所述驅動部(32)驅動所述傳輸部(31)伸入所述工藝室(1)和高溫通道(2)并在其中移動;
所述高溫通道(2)具有密封閥門(21),所述半導體集成加工設備包括驅動腔室(3),所述驅動部(32)設置在所述驅動腔室(3)中,所述密封閥門(21)位于所述驅動腔室(3)與所述高溫通道(2)之間。
2.根據權利要求1所述的半導體集成加工設備,其特征在于,所述工藝室(1)與所述高溫通道(2)之間設置有工藝室閥門(11),所述工藝室閥門(11)打開時供所述傳輸部(31)在所述高溫通道(2)和所述工藝室(1)之間運動。
3.根據權利要求1所述的半導體集成加工設備,其特征在于,所述密封閥門(21)打開時供所述傳輸部(31)伸入所述高溫通道(2)。
4.根據權利要求1所述的半導體集成加工設備,其特征在于,所述保溫裝置包括保溫層和/或加熱組件。
5.根據權利要求1所述的半導體集成加工設備,其特征在于,所述半導體集成加工設備包括冷卻組件,用于冷卻所述高溫通道(2)的外壁。
6.根據權利要求1所述的半導體集成加工設備,其特征在于,所述驅動部(32)上設置有伸縮組件,所述傳輸部(31)設置在所述伸縮組件上。
7.根據權利要求1所述的半導體集成加工設備,其特征在于,所述傳輸部(31)為用于承載基片的石英手指。
8.一種半導體加工方法,其特征在于,采用權利要求1-7任一項所述半導體集成加工設備進行所述半導體加工方法;
包括:按照預定加工工序,將基片送入工藝室進行加工,完成加工后將基片從工藝室中移動到高溫通道,沿所述高溫通道將基片送入下一個工藝室進行下一步加工。
9.根據權利要求8所述的半導體加工方法,其特征在于,按照預定加工工序完成全部加工工藝后,將基片從工藝室中取出,置于高溫通道中冷卻。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





