[發明專利]半導體集成加工設備和半導體加工方法

有效

• 申請號: 201610258582.2
• 申請日: 2016-04-22
• 公開（公告）號: CN107316824B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 方浩;劉凱
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/673;H01L21/677
• 代理公司: 北京博雅睿泉專利代理事務所(特殊普通合伙) 11442
• 代理人: 王昭智;馬佑平

1.一種半導體集成加工設備，其特征在于，包括：

至少兩個工藝室(1)；

連通所述工藝室(1)的高溫通道(2)，所述高溫通道(2)具有保溫裝置；

傳輸裝置，所述傳輸裝置包括傳輸部(31)和驅動部(32)，所述驅動部(32)設置在所述工藝室(1)和高溫通道(2)之外，所述傳輸部(31)設置在所述驅動部(32)的端部，所述驅動部(32)驅動所述傳輸部(31)伸入所述工藝室(1)和高溫通道(2)并在其中移動；

所述高溫通道(2)具有密封閥門(21)，所述半導體集成加工設備包括驅動腔室(3)，所述驅動部(32)設置在所述驅動腔室(3)中，所述密封閥門(21)位于所述驅動腔室(3)與所述高溫通道(2)之間。

2.根據權利要求1所述的半導體集成加工設備，其特征在于，所述工藝室(1)與所述高溫通道(2)之間設置有工藝室閥門(11)，所述工藝室閥門(11)打開時供所述傳輸部(31)在所述高溫通道(2)和所述工藝室(1)之間運動。

3.根據權利要求1所述的半導體集成加工設備，其特征在于，所述密封閥門(21)打開時供所述傳輸部(31)伸入所述高溫通道(2)。

4.根據權利要求1所述的半導體集成加工設備，其特征在于，所述保溫裝置包括保溫層和/或加熱組件。

5.根據權利要求1所述的半導體集成加工設備，其特征在于，所述半導體集成加工設備包括冷卻組件，用于冷卻所述高溫通道(2)的外壁。

6.根據權利要求1所述的半導體集成加工設備，其特征在于，所述驅動部(32)上設置有伸縮組件，所述傳輸部(31)設置在所述伸縮組件上。

7.根據權利要求1所述的半導體集成加工設備，其特征在于，所述傳輸部(31)為用于承載基片的石英手指。

8.一種半導體加工方法，其特征在于，采用權利要求1-7任一項所述半導體集成加工設備進行所述半導體加工方法；

包括：按照預定加工工序，將基片送入工藝室進行加工，完成加工后將基片從工藝室中移動到高溫通道，沿所述高溫通道將基片送入下一個工藝室進行下一步加工。

9.根據權利要求8所述的半導體加工方法，其特征在于，按照預定加工工序完成全部加工工藝后，將基片從工藝室中取出，置于高溫通道中冷卻。