[發(fā)明專利]一種Cu基阻變存儲器的制備方法及存儲器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610258342.2 | 申請日： | 2016-04-22 |
| 公開（公告）號： | CN105789439B | 公開（公告）日： | 2019-05-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 呂杭炳;劉明;劉琦;龍世兵 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;H01L27/24;H01L21/82;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 11302 | 代理人： | 房德權(quán) |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 cu 基阻變 存儲器 制備 方法 | ||
1.一種Cu基阻變存儲器的制備方法，其特征在于，所述方法包括：
對銅下電極構(gòu)圖化合處理生成化合物緩沖層，所述化合物緩沖層能夠阻止所述銅下電極被氧化；
在所述化合物緩沖層上沉積固態(tài)電解液材料；
在所述固態(tài)電解液材料上沉積上電極形成存儲器；
其中，所述對銅下電極構(gòu)圖化合處理生成化合物緩沖層，包括：對被暴露的所述銅下電極硅化處理獲得銅和硅的化合物；在100℃-500℃下的含氮氣體中對所述銅和硅的化合物進行氮化處理獲得Cu、Si及N的化合物緩沖層；或者，對被暴露的所述銅下電極鍺化處理獲得銅和鍺的化合物；在100℃-500℃下的含氮氣體中對所述銅和鍺的化合物進行氮化處理獲得Cu、Ge及N的化合物緩沖層，所述化合物緩沖層的厚度為1nm～100nm。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅化處理在含硅氣體中反應(yīng)完成；或，所述鍺化處理在含鍺氣體中反應(yīng)完成。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅化處理通過硅的離子注入方法完成；或，所述鍺化處理通過鍺的離子注入方法完成。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述對被暴露的所述銅下電極進行硅化處理或鍺化處理生成所述化合物緩沖層之前，所述方法還包括：
在含氫氣體中對所述被暴露的所述銅下電極進行還原處理。
5.一種Cu基阻變存儲器，其特征在于，包括：
銅下電極和介質(zhì)層，所述介質(zhì)層設(shè)置在所述銅下電極的上方，且所述介質(zhì)層中開設(shè)有一孔洞；
化合物緩沖層，嵌入設(shè)置在所述銅下電極中位于所述孔洞正下方，所述化合物緩沖層為Cu、Si及N的化合物或Cu、Ge及N的化合物，所述化合物緩沖層的厚度為1nm～100nm；
固態(tài)電解液材料，設(shè)置在所述化合物緩沖層和所述介質(zhì)層的上方，及設(shè)置在所述孔洞的洞壁內(nèi)側(cè)；
上電極，設(shè)置所述固態(tài)電解液材料上。
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