[發明專利]一種用于BUCK變換器的自適應二次斜坡補償電路有效
| 申請號: | 201610258076.3 | 申請日: | 2016-04-22 |
| 公開(公告)號: | CN105896972B | 公開(公告)日: | 2018-05-01 |
| 發明(設計)人: | 羅萍;韓曉波;王軍科;周才強;曹燦華;繆昕昊;肖天成 | 申請(專利權)人: | 電子科技大學 |
| 主分類號: | H02M3/156 | 分類號: | H02M3/156 |
| 代理公司: | 成都點睛專利代理事務所(普通合伙)51232 | 代理人: | 葛啟函 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 buck 變換器 自適應 二次 斜坡 補償 電路 | ||
1.一種用于BUCK變換器的自適應二次斜坡補償電路,其特征在于,包括自適應電流產生電路和二次電壓信號產生電路;所述自適應電流產生電路用于產生隨BUCK變換器占空比變化而變化的電流信號;所述自適應電流產生電路的第一輸入端接BUCK變換器的占空比信號,自適應電流產生電路的第二輸入端接參考電壓,自適應電流產生電路的輸出端接二次電壓信號產生電路的第一輸入端;所述二次電壓信號產生電路用于將自適應電流產生電路輸出的電流通過電容積分轉化為二次斜坡補償信號;所述二次電壓信號產生電路的第二輸入端接脈沖開關信號,其輸出端輸出自適應二次電壓信號;
所述自適應電流產生電路包括第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M7)、第一PMOS管(M2)、第二PMOS管(M3)、第三PMOS管(M4)、第四PMOS管(M5)、第五PMOS管(M6)、第一傳輸門(TG1)、第二傳輸門(TG2)、第三傳輸門(TG3)、第四傳輸門(TG4)、第五傳輸門(TG5)、第一電容(C1)、第二電容(C2)、第三電容(C3)、第四電容(C4)、電阻(Rs)和運算放大器;
所述第一PMOS管(M2)的源極接電源,其柵極與漏極互連;
所述第二PMOS管(M3)的源極接電源,其柵極接第一PMOS管(M2)的漏極,第二PMOS管(M3)的漏極通過第二電容(C2)后接地;
所述第三PMOS管(M4)的源極接電源,其柵極接第一PMOS管(M2)的漏極,第三PMOS管(M4)的漏極為自適應電流產生電路的輸出端;
所述第四PMOS管(M5)的源極接電源,其柵極與漏極互連;
所述第五PMOS管(M6)的源極接電源,其柵極接第四PMOS管(M5)的漏極,第五PMOS管(M6)的漏極通過第一電容(C1)后接地;
所述第一傳輸門(TG1)由占空比信號控制,其一端接第五PMOS管(M6)的漏極,另一端接地;
所述第二傳輸門(TG2)由反向占空比信號控制,其一端接第五PMOS管(M6)的漏極,另一端接第三傳輸門(TG3)的一端;
所述第三傳輸門(TG3)由占空比信號控制,其另一端接運算放大器的負輸入端;
所述第二傳輸門(TG2)與第三傳輸門(TG3)的連接點通過第三電容(C3)后接地;
所述運算放大器的正輸入接參考電壓,其輸出端接第一NMOS管(M1)的柵極;
所述第一NMOS管(M1)的漏極接第一PMOS管(M2)的漏極,第一NMOS管(M1)的源極接地;
所述第四傳輸門(TG4)由反向占空比信號控制,其一端接第二PMOS管(M3)的漏極和第五傳輸門(TG5)的一端,另一端接地;
所述第四傳輸門(TG4)與第二PMOS管(M3)漏極的連接點通過第二電容(C2)后接地;
所述第五傳輸門(TG5)由占空比信號控制,其另一端接第二NMOS管(M7)的柵極,第五傳輸門(TG5)與第二NMOS管(M7)柵極的連接點通過第四電容(C4)后接地;
所述第二NMOS管(M7)的漏極接第四PMOS管(M5)的漏極,第二NMOS管(M7)的源極通過電阻(Rs)后接地;
所述二次電壓信號產生電路包括第六傳輸門(TG6)、第七傳輸門(TG7)、第五電容(C5)、第六電容(C6)和跨導放大器;
所述第六傳輸門(TG6)由脈沖開關信號控制,其一端接跨導放大器的輸入端,另一端接地;
所述第六傳輸門(TG6)與跨導放大器輸入端的連接點通過第五電容(C5)后接地;
所述第六傳輸門(TG6)、跨導放大器輸入端和第五電容(C5)的連接點接第三PMOS管(M4)的漏極;
所述跨導放大器的輸出端通過第六電容(C6)后接地;
所述跨導放大器輸出端與第六電容(C6)的連接點接第七傳輸門(TG7)的一端;
所述第七傳輸門(TG7)由脈沖開關信號控制,其另一端接地;
所述跨導放大器輸出端、第六電容(C6)和第七傳輸門(TG7)一端的連接點為二次電壓信號產生電路的輸出端。
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