[發(fā)明專利]配體修飾量子點(diǎn)材料、液晶顯示面板的制作方法及液晶顯示面板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610257620.2 | 申請日: | 2016-04-22 |
| 公開(公告)號: | CN105733557B | 公開(公告)日: | 2017-12-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蘭松 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | C09K11/02 | 分類號: | C09K11/02;C09K19/52;G02F1/1337 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 修飾 量子 材料 液晶顯示 面板 制作方法 | ||
1.一種配體修飾量子點(diǎn)材料,其特征在于,包括量子點(diǎn)、及吸附于量子點(diǎn)表面的配體修飾劑;所述配體修飾劑的結(jié)構(gòu)通式為A-B-R,所述配體修飾劑以基團(tuán)A吸附于量子點(diǎn)表面;
其中,A指的是-SH、-NH2、-NH-、或-COOH;
B指的是
Sp指的是-(CH2)n-基團(tuán)、或者所述-(CH2)n-基團(tuán)中某個(gè)-CH2-被-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-OCH2-、-CH2O-、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-CH=CH-COO-、或-OCO-CH=CH-取代后得到的基團(tuán),其中,n為1~8之間的整數(shù);
B'指的是其中,為苯基、苯基上的H原子被F、Cl、Br、I、-CN、-NO2、或-C(=O)H取代后得到的基團(tuán)、或者環(huán)烷基;
R指的是具有5~20個(gè)C原子的直鏈或支鏈化的烷基、該烷基中某個(gè)-CH2-基團(tuán)被苯基、環(huán)烷基、-CONH-、-COO-、-O-CO-、-S-、-CO-、或-CH=CH-基團(tuán)取代后得到的第一基團(tuán)、該烷基中某個(gè)H原子被F或Cl原子取代后得到的第二基團(tuán)、或者所述第一基團(tuán)中某個(gè)H原子被F或Cl原子取代后得到的第三基團(tuán);
L指的是連接于B'基團(tuán)上的可聚合基團(tuán),包括以下三種基團(tuán)中的任意一種、任意兩種、或者三種:
2.如權(quán)利要求1所述的配體修飾量子點(diǎn)材料,其特征在于,所述配體修飾劑包括以下化合物中的一種或多種:
3.一種液晶顯示面板的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1、提供一上基板(1)、一下基板(2)、及液晶材料;
所述上基板(1)包括第一基板(11)、及設(shè)于第一基板(11)上的第一電極(12);所述下基板(2)包括第二基板(21)、及設(shè)于第二基板(21)上的第二電極(22);
所述液晶材料包括包括液晶分子(31)、配體修飾量子點(diǎn)材料(32)、及可聚合單體(33);
所述配體修飾量子點(diǎn)材料(32)包括量子點(diǎn)、及吸附于量子點(diǎn)表面的配體修飾劑;所述配體修飾劑的結(jié)構(gòu)式為A-B-R,所述配體修飾劑以基團(tuán)A吸附于量子點(diǎn)表面;
其中,A指的是-SH、-NH2、-NH-、或-COOH;
B指的是
Sp指的是-(CH2)n-基團(tuán)、或者所述-(CH2)n-基團(tuán)中某個(gè)-CH2-被-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-OCH2-、-CH2O-、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-CH=CH-COO-、或-OCO-CH=CH-取代后得到的基團(tuán),其中,n為1~8之間的整數(shù);
B'指的是其中,為苯基、苯基上的H原子被F、Cl、Br、I、-CN、-NO2、或-C(=O)H取代后得到的基團(tuán)、或者環(huán)烷基;
R指的是具有5~20個(gè)C原子的直鏈或支鏈化的烷基、該烷基中某個(gè)-CH2-基團(tuán)被苯基、環(huán)烷基、-CONH-、-COO-、-O-CO-、-S-、-CO-、或-CH=CH-基團(tuán)取代后得到的第一基團(tuán)、該烷基中某個(gè)H原子被F或Cl原子取代后得到的第二基團(tuán)、或者所述第一基團(tuán)中某個(gè)H原子被F或Cl原子取代后得到的第三基團(tuán);
L指的是連接于B'基團(tuán)上的可聚合基團(tuán),包括以下三種基團(tuán)中的任意一種、任意兩種、或者三種:
步驟2、在所述上基板(1)或者下基板(2)上滴注液晶材料,在所述下基板(2)或者上基板(1)的周邊位置涂布密封膠(4),之后將所述上基板(1)與下基板(2)組立貼合,并對所述密封膠(4)進(jìn)行固化;
所述液晶材料中的配體修飾量子點(diǎn)材料(32)由于難溶于液晶分子(31)中從而沉積于所述上基板(1)和下基板(2)上,并通過其上的配體修飾劑的基團(tuán)B-R引導(dǎo)液晶分子(31)垂直于所述上基板(1)和下基板(2)排列;
步驟3、通過第一電極(11)和第二電極(21)對液晶材料兩側(cè)施加電壓,使液晶分子(31)發(fā)生偏轉(zhuǎn),沿傾斜于所述上基板(1)和下基板(2)的方向排列;
步驟4、在對液晶材料施加電壓的情況下,從所述上基板(1)或下基板(2)一側(cè)對液晶材料進(jìn)行紫外光照射,使所述液晶材料中的配體修飾量子點(diǎn)材料(32)通過其上的配體修飾劑與可聚合單體(33)發(fā)生聚合反應(yīng),生成聚合物,所述聚合物沉積在所述上基板(1)上朝向液晶材料的一側(cè)形成第一聚合物薄膜(41),同時(shí)沉積在所述下基板(2)上朝向液晶材料的一側(cè)形成第二聚合物薄膜(42),所述第一聚合物薄膜(41)與第二聚合物薄膜(42)的表面均具有多個(gè)聚合物凸起,從而在撤去電壓后以空間障礙的方式使第一聚合物薄膜(41)和第二聚合物薄膜(42)附近的液晶分子(31)維持其傾斜方向;
去除配體修飾量子點(diǎn)材料(32)與可聚合單體(33)的液晶材料構(gòu)成液晶層(3)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳市華星光電技術(shù)有限公司,未經(jīng)深圳市華星光電技術(shù)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610257620.2/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C09K 不包含在其他類目中的各種應(yīng)用材料;不包含在其他類目中的材料的各種應(yīng)用
C09K11-00 發(fā)光材料,例如電致發(fā)光材料、化學(xué)發(fā)光材料
C09K11-01 .發(fā)光材料的回收
C09K11-02 .以特殊材料作為黏合劑,用于粒子涂層或作懸浮介質(zhì)
C09K11-04 .含有天然或人造放射性元素或未經(jīng)指明的放射性元素
C09K11-06 .含有機(jī)發(fā)光材料
C09K11-08 .含無機(jī)發(fā)光材料





