[發明專利]一種石斛栽培基質及其制備方法

在審

• 申請號: 201610257334.6
• 申請日: 2016-04-25
• 公開（公告）號: CN105766591A
• 公開（公告）日: 2016-07-20
• 發明（設計）人: 王自宇
• 申請（專利權）人: 廣西智寶科技有限公司
• 主分類號: A01G31/00
• 分類號: A01G31/00
• 代理公司: 北京天奇智新知識產權代理有限公司 11340
• 代理人: 但玉梅

技術領域

本發明屬于種植技術領域，具體涉及一種石斛栽培基質及其制備方法。

背景技術

石斛，蘭科植物之一，主要分布于亞洲熱帶和亞熱帶，澳大利亞和太平洋島嶼，我國大 部分分布于西南、華南、臺灣等地。石斛蘭的主要品種有金釵石斛、密花石斛、鼓槌石斛等。 可入藥，名為石斛，對人體有驅解虛熱，益精強陰等療效。隨著花卉產業的興起，石斛蘭也 成為了一種觀賞植物。石斛蘭的栽培方式一般為盆栽。由于石斛蘭具有秉性剛強、祥和可親 的氣質，被譽為父親之花。石斛蘭的植株由肉莖構成，粗如中指，葉如竹葉花葶從葉腋抽出， 每葶有花七八朵，每花6瓣，四面散開，花瓣邊均為紫色，瓣心為白色。石斛屬植物為附生 植物，生境獨特，對小氣候環境要求十分嚴格。多生于溫涼高濕的陰坡、半陰坡微酸性巖層 峭壁上，群聚分布，上有林木側方遮陰，下有溪溝水源，冬春季節稍耐干旱，但嚴重缺水時 常葉片落盡，裸莖渡過不良環境，到溫暖季節重新萌發枝葉。常與地衣、苔蘚植物以及抱石 蓮、伏石蕨、卷柏、石豆蘭等混生。目前，人工種植石斛用的種植基質主要有樹皮、木屑、 水苔、泥炭土、河沙，其中最適合生長的基質為水苔、樹皮和木屑。水苔蘚，可以經過簡單 的洗滌與殺菌后即可使用，但是其價格比較高，因此導致種植生產的成本增高，讓多數種植 戶不能接受，木屑與水苔相比在價格上具有明顯優勢，但木屑在使用之前需要經過發酵處理， 且在種植過程中容易腐爛，需要更換。目前，人工栽培石斛普遍多采用遮陰大棚，大棚內搭 建平面苗床進行栽培。苗床一般采用鋼結構、木結構或磚石結構的支架式苗床，在農業生產 中，建設這類苗床的成本過高，而且易損壞，跟換或維護困難，且成活率較低，給石斛的人 工栽培帶來很多的困難。為此，經本發明潛心研究，開發出一種更加適合石斛生長的培養基， 實驗證明，效果良好。

發明內容

本發明的目的是提供一種石斛栽培基質及其制備方法，制備方法簡單易懂，且本發明制 備的種植基質克服了基質長期使用腐爛不透氣，不保水，需要更換，且成本低，營養全；基 質還巧妙地通過三層疊加的方式，有針對性的對每個生長期間的提供合理的肥力，更有利于 鐵皮石斛的生長，促使鐵皮石斛莖干長得更加粗壯，根系更發達；使用木霉菌劑添加到基質 中能夠抑制基質致病微生物，且配合多靈菌共同使用，提高了抑菌率。

為了實現上述目的，本發明是通過以下技術方案來實現的：

一種石斛栽培基質，包括由下至上依次疊加設置的基礎層、緩沖層和基質層；按照重量 份數比計，所述基礎層為干小麥秸稈15-20份和/或干甘蔗葉15-20份；

所述緩沖層為蠶沙5-10份、腐葉土10-20份、松球10-15份、水冬瓜樹皮10-15份、糟 糠8-15份和木霉菌劑1-2份的混合物；

所述基質層為改性生物炭15-25份、朽木15-45份、膨脹珍珠巖5-15份、松樹皮10-35 份、花生殼5-15份、蜜桔落花5-15份、陶粒10-20份和木霉菌劑1-2份的混合物；

所述基礎層的厚度為2-5cm，所述緩沖層的厚度為2-3cm，所述基質層的厚度為2-5cm；

所述改性生物炭是按照重量份數比計，將互花米草30-50份、膨脹珍珠巖粉2-5份和瓜 子石粉2-5份混合得到混合物后，用超聲波照射3-5min，然后用紅外線照射15-30s，最后于 300℃-500℃條件下進行煅燒后即可得到改性生物炭。

在本發明在，作為進一步說明，所述改性生物炭進行煅燒的過程中采用厭氧加氮的方式 進行。

在本發明在，作為進一步說明，所述煅燒的時間為5-8S。

在本發明在，作為進一步說明，所述超聲波的波長為200nm-250nm。

在本發明在，作為進一步說明，所述朽木為半腐蝕番石榴樹枝、半腐蝕柑橘樹枝、半腐 蝕琵琶樹樹枝和半腐蝕柚子樹枝中的兩種以上的混合物。

在本發明在，作為進一步說明，所述木霉菌劑為有綠色木霉菌劑或康寧木霉菌劑。

如上所述的一種石斛栽培基質的制備方法，具體步驟如下：

(1)將基礎層干小麥秸稈和/或干甘蔗葉截成2-3cm長，然后使用質量濃度為10-20％的 石灰水進行消毒后，平鋪于培養架底部；