[發明專利]一種充電電容和pump電路

有效

• 申請號: 201610256933.6
• 申請日: 2016-04-20
• 公開（公告）號: CN105790573B
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發明（設計）人: 胡俊;陳曉璐;劉銘
• 申請（專利權）人: 合肥格易集成電路有限公司;北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: H02M3/07
• 分類號: H02M3/07;G11C16/06;G11C16/30
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 蘇培華

1.一種充電電容，應用于存儲器的pump電路，其特征在于，所述充電電容的第一端為所述存儲器內一浮柵MOS管中浮柵控制極的引出端，所述充電電容的第二端為所述浮柵MOS管中P阱接觸點、源極、控制柵極相連后的公共端，所述充電電容的電源端為所述浮柵MOS管中N阱的引出端；

其中，在所述充電電容上電后，所述浮柵控制極、所述控制柵極以及所述浮柵控制極和所述控制柵極之間的氧化物層形成第一電容；

當所述充電電容的第一端與所述充電電容的第二端之間的電壓大于所述浮柵MOS管的閾值電壓時，所述浮柵控制極和所述浮柵MOS管中P阱形成反型層，所述反型層與所述浮柵控制極和所述P阱之間的氧化物層形成與所述第一電容并聯的第二電容。

2.根據權利要求1所述的充電電容，其特征在于，所述浮柵MOS管具有從氧化物層至所述浮柵控制極的孔，所述浮柵控制極的引出端通過所述孔引出。

3.一種pump電路，其特征在于，應用于存儲器，所述pump電路包括2N+1個以二極管連接方式連接的MOS管、2N個根據權利要求1-2中任一項所述的充電電容、第一時鐘信號提供端、第二時鐘信號提供端和電源提供端，所述2N+1個MOS管中的第一MOS管與所述電源提供端相連，所述2N個充電電容與所述2N+1個MOS管中的第二MOS管至第2N+1MOS管一一對應，N為大于0的整數，其中，

每個所述充電電容的第一端與對應MOS管的柵極相連，相鄰兩個所述充電電容中一個的第二端與所述第一時鐘信號提供端相連，相鄰兩個所述充電電容中另一個的第二端與所述第二時鐘信號提供端相連，每個所述充電電容的電源端與所述電源提供端相連。

4.根據權利要求3所述的pump電路，其特征在于，所述第一時鐘信號提供端提供的第一時鐘信號與所述第二時鐘信號提供端提供的第二時鐘信號頻率相同且相位相反。

5.根據權利要求3所述的pump電路，其特征在于，所述MOS管為P型MOS管或N型MOS管。