[發(fā)明專利]一種高比容電容負極箔及其制備的鍍膜裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610256319.X
• 申請日: 2016-04-25
• 公開（公告）號: CN105761939A
• 公開（公告）日: 2016-07-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 關(guān)秉羽
• 申請（專利權(quán)）人: 遼寧鑫金鉑科技有限公司
• 主分類號: H01G9/042
• 分類號: H01G9/042;H01G9/045;H01G9/048;H01G13/00;C23C14/56;C23C14/06;C23C14/35
• 代理公司: 鐵嶺天工專利商標(biāo)事務(wù)所 21105
• 代理人: 王化斌

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種高比容電容負極箔，本發(fā)明還涉及到制備該高比容電容負極箔的鍍膜裝置。

背景技術(shù)

以往電容器負極箔主要有兩種形式，一種是純鋁箔經(jīng)過電化學(xué)方法將表面腐蝕，直接用來作負極箔；另一種是在鋁箔上涂上薄薄石墨膠體后烘干作為負極箔使用。

從性能上來講，腐蝕的鋁箔作為負極箔，電容量小、阻抗高、損耗值大，因此該負極箔只能做一些傳流電解電容，并且腐蝕的鋁箔作為負極箔體積大、壽命短、不穩(wěn)定。而碳箔比起腐蝕鋁箔的負極箔性能有較大改善，電容量高于鋁箔數(shù)倍，并且阻抗小、損耗值小，但制造成本高，生產(chǎn)效率低，因此碳箔常用來制成一些高端固態(tài)電容器，具有體積小、壽命長、熱穩(wěn)定性好的特點。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種作為負極箔時電容量高、阻抗小、損耗值小且容易加工制造的高比容電容負極箔，本發(fā)明同時還提供制備該高比容電容負極箔的鍍膜裝置。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明中的高比容電容負極箔，具有鋁箔，所述鋁箔的表面濺射有氮化鈦層，氮化鈦層的表面濺射有氮化鈦和石墨的混合層。

采用上述結(jié)構(gòu)的高比容電容負極箔，實驗測試表明：氮化鈦層與鋁箔表面結(jié)合牢固，氮化鈦和石墨的混合層與氮化鈦層結(jié)合牢固，可以通過磁控鈦靶及磁控石墨靶濺射的方式在鋁箔基膜上鍍膜，制造成本低且生產(chǎn)效率高；另外本發(fā)明產(chǎn)品在作為負極箔時，同比電容量達到鋁箔的數(shù)倍、高于碳箔，具有比鋁箔更低的阻抗和損耗，尤其適合制作固態(tài)電容器和大容量電解電容器，具有體積小、壽命長、熱穩(wěn)定性好的特點。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明中的制備高比容電容負極箔的鍍膜裝置，包括真空放卷室、第一真空鍍膜室、第二真空鍍膜室和真空收卷室，所述真空放卷室內(nèi)設(shè)有放卷機構(gòu)，真空收卷室內(nèi)設(shè)有收卷機構(gòu)，鋁箔從所述放卷機構(gòu)開始，經(jīng)第一真空鍍膜室和第二真空鍍膜室，由所述收卷機構(gòu)收卷；所述第一真空鍍膜室內(nèi)位于鋁箔的上、下方均布設(shè)有多個磁控鈦靶，第二真空鍍膜室內(nèi)位于鋁箔的上、下方均布設(shè)有多個磁控鈦靶和磁控石墨靶；還包括充氮氣裝置，該充氮氣裝置通過管線與所述第一、二真空鍍膜室相連通。

作為本發(fā)明中制備高比容電容負極箔的鍍膜裝置的改進，位于所述第二真空鍍膜室內(nèi)的磁控鈦靶的數(shù)量多于磁控石墨靶的數(shù)量。

采用上述結(jié)構(gòu)的制備高比容電容負極箔的鍍膜裝置，在所述第一真空鍍膜室內(nèi)磁控鈦靶濺射的鈦與氮氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮化鈦在鋁箔表面形成一層氮化鈦膜，在第二真空鍍膜室內(nèi)磁控鈦靶濺射的鈦與氮氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮化鈦，加上磁控石墨靶濺射的石墨在鋁箔表面氮化鈦層的基礎(chǔ)上形成一層氮化鈦和石墨的混合層，本鍍膜裝置從放卷到收卷可以實現(xiàn)連續(xù)鍍膜，鍍膜速度快、生產(chǎn)效率高。

附圖說明

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步地詳細說明。

圖1是本發(fā)明中高比容電容負極箔的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明中制備高比容電容負極箔的鍍膜裝置的結(jié)構(gòu)組成示意圖。

具體實施方式

首先參見圖1，本發(fā)明的高比容電容負極箔，具有鋁箔1，所述鋁箔1的表面濺射有氮化鈦層2，氮化鈦層2的表面濺射有氮化鈦和石墨的混合層3。

再參見圖2，圖2示出了制備高比容電容負極箔的鍍膜裝置的結(jié)構(gòu)組成示意圖，本發(fā)明的鍍膜裝置包括真空放卷室10、第一真空鍍膜室20、第二真空鍍膜室30和真空收卷室40，所述真空放卷室10內(nèi)設(shè)有放卷機構(gòu)11，真空收卷室40內(nèi)設(shè)有收卷機構(gòu)41，鋁箔1從所述放卷機構(gòu)11開始，經(jīng)第一真空鍍膜室20和第二真空鍍膜室30，由所述收卷機構(gòu)41收卷；所述第一真空鍍膜室20內(nèi)位于鋁箔1的上、下方均布設(shè)有多個磁控鈦靶21，第二真空鍍膜室30內(nèi)位于鋁箔1的上、下方均布設(shè)有多個磁控鈦靶21和磁控石墨靶31；還包括充氮氣裝置50，該充氮氣裝置50通過管線與所述第一、二真空鍍膜室20、30相連通。位于所述第二真空鍍膜室30內(nèi)的磁控鈦靶21的數(shù)量多于磁控石墨靶31的數(shù)量。