[發(fā)明專利]陣列基板、顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610254962.9
• 申請日: 2016-04-22
• 公開（公告）號: CN105719613B
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發(fā)明（設計）人: 曹兆鏗;譚湘民;丁洪
• 申請（專利權(quán)）人: 上海天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: G09G3/36
• 分類號: G09G3/36
• 代理公司: 北京匯思誠業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11444
• 代理人: 王剛;龔敏

1.一種陣列基板，包括襯底基板，其特征在于，所述陣列基板包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，所述非顯示區(qū)內(nèi)設有柵極驅(qū)動電路，所述柵極驅(qū)動電路包括移位寄存單元，所述移位寄存單元包括第一電容和第二電容、時鐘信號輸入端和柵極驅(qū)動信號輸出端；

所述第一電容和所述第二電容分別與所述時鐘信號輸入端和所述柵極驅(qū)動信號輸出端電連接；

所述移位寄存單元中的下拉節(jié)點通過所述第一電容與所述時鐘信號輸入端電連接，所述移位寄存單元中的上拉節(jié)點通過所述第二電容與所述柵極驅(qū)動信號輸出端連接；

所述第一電容包括第一極板和第二極板，所述第一電容的第一極板或第二極板與所述時鐘信號輸入端電連接，所述第二電容包括第三極板和第四極板，所述第二電容的第三極板或第四極板與所述柵極驅(qū)動信號輸出端電連接；

所述第一電容的任一極板和所述第二電容的任一極板在所述襯底基板所在平面的正投影至少部分交疊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述移位寄存單元包括在垂直于所述襯底基板的方向上依次排列的第一金屬層、第二金屬層以及第一電極層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述移位寄存單元包括薄膜晶體管，所述第一金屬層用于形成所述薄膜晶體管的柵極；

所述第二金屬層用于形成所述薄膜晶體管的源極和漏極。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電容包括第一極板和第二極板；

所述第二電容包括第三極板和第四極板，所述第一金屬層包括所述第三極板，所述第二金屬層包括所述第四極板。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述移位寄存單元還包括第二電極層，所述第一電極層包括所述第一極板，所述第二電極層包括所述第二極板。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述移位寄存單元還包括設置于所述第一電極層和所述第二金屬層之間的第三金屬層；

所述第三金屬層包括所述第一極板，所述第二電極層包括所述第二極板。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電容和所述第二電容之間設有有機膜層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第一極板和第二極板之間設有第一絕緣層；所述第一金屬層和所述第二金屬層之間設有第二絕緣層；

所述有機膜層的介電常數(shù)小于所述第一絕緣層的介電常數(shù)，且所述有機膜層的介電常數(shù)小于所述第二絕緣層的介電常數(shù)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述有機膜層的相對介電常數(shù)范圍為：1.5-4。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述有機膜層的厚度大于所述第一絕緣層的厚度，且所述有機膜層的厚度大于所述第二絕緣層的厚度。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述有機膜層厚度的范圍為1μm-4μm。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電容的兩個極板在所述襯底基板所在平面具有第一正投影，所述第二電容的兩個極板在所述襯底基板所在平面具有第二正投影；所述第一正投影覆蓋所述第二正投影或者所述第二正投影覆蓋所述第一正投影。

13.一種顯示面板，包括如權(quán)利要求1-12任一項所述的陣列基板。

14.一種顯示裝置，包括如權(quán)利要求13所述的顯示面板。