[發明專利]基于聚合物透明電極的太赫茲波段電控液晶相移器的制備方法有效
| 申請號: | 201610251983.5 | 申請日: | 2016-04-21 |
| 公開(公告)號: | CN105717675B | 公開(公告)日: | 2018-09-11 |
| 發明(設計)人: | 田浩;都妍;周忠祥;宮德維 | 申請(專利權)人: | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號: | G02F1/13 | 分類號: | G02F1/13;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109 | 代理人: | 侯靜 |
| 地址: | 150001 黑龍*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 聚合物 透明 電極 赫茲 波段 液晶 相移 制備 方法 | ||
1.基于聚合物透明電極的太赫茲波段電控液晶相移器的制備方法,其特征在于基于聚合物透明電極的太赫茲波段電控液晶相移器的制備方法按照以下步驟進行:
一、將聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸溶于二甲基亞砜中,二甲基亞砜占聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸和二甲基亞砜混合物體積百分含量的15%,在60℃-90℃加熱攪拌5h-8h,然后用0.45μm針頭過濾器過濾去除大顆粒膠體,然后以5000rpm-7000rpm的速度旋涂,在石英基底一側得到55nm-86nm的膜,然后在100℃退火30min,得到涂膜的石英基底;或者在90℃加熱攪拌2h-4h再在室溫攪拌5h-8h,然后用0.45μm針頭過濾器過濾去除大顆粒膠體,然后以5000rpm-7000rpm的速度旋涂,在石英基底一側得到55nm-86nm的膜,然后在100℃退火30min,得到涂膜的石英基底;
二、在涂膜的石英基底的膜的上表面刷涂常溫導電銀膠,在常溫導電銀膠表面旋涂一層PI液晶取向層,90℃加熱5min后,200℃繼續加熱30min,用絨布朝一個方向磨刷PI液晶取向層,使液晶分子以此方向取向,然后在PI液晶取向層上表面放置300μm-1000μm厚的墊片,得到帶墊片的石英基底;
三、將2片帶墊片的石英基底,墊片與墊片相對,并在墊片與墊片間注入E7液晶,即得基于聚合物透明電極的太赫茲波段電控液晶相移器。
2.根據權利要求1所述基于聚合物透明電極的太赫茲波段電控液晶相移器的制備方法,其特征在于步驟一中在65℃-85℃加熱攪拌5.5h-7h。
3.根據權利要求1所述基于聚合物透明電極的太赫茲波段電控液晶相移器的制備方法,其特征在于步驟一中在70℃-80℃加熱攪拌6h-6.5h。
4.根據權利要求1所述基于聚合物透明電極的太赫茲波段電控液晶相移器的制備方法,其特征在于步驟一中在75℃加熱攪拌6h。
5.根據權利要求1所述基于聚合物透明電極的太赫茲波段電控液晶相移器的制備方法,其特征在于步驟一中在90℃加熱攪拌3h再在室溫攪拌6h。
6.根據權利要求1所述基于聚合物透明電極的太赫茲波段電控液晶相移器的制備方法,其特征在于步驟一中以5500rpm-6800rpm的速度旋涂,在石英基底一側得到58nm-80nm的膜。
7.根據權利要求1所述基于聚合物透明電極的太赫茲波段電控液晶相移器的制備方法,其特征在于步驟一中以5000rpm的速度旋涂,在石英基底一側得到86nm的膜。
8.根據權利要求1所述基于聚合物透明電極的太赫茲波段電控液晶相移器的制備方法,其特征在于步驟一中以6000rpm的速度旋涂,在石英基底一側得到74nm的膜。
9.根據權利要求1所述基于聚合物透明電極的太赫茲波段電控液晶相移器的制備方法,其特征在于步驟一中以6500rpm的速度旋涂,在石英基底一側得到62nm的膜。
10.根據權利要求1所述基于聚合物透明電極的太赫茲波段電控液晶相移器的制備方法,其特征在于步驟一中以7000rpm的速度旋涂,在石英基底一側得到55nm的膜。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于哈爾濱工業大學,未經哈爾濱工業大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610251983.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:礦粉成型機
- 下一篇:山梨糖醇含片組成及其制造方法





