[發(fā)明專利]一種用于液晶面板的驅(qū)動(dòng)電路

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610250693.9
• 申請(qǐng)日: 2016-04-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105679274A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳奕冏;蔡孟杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 友達(dá)光電股份有限公司
• 主分類號(hào): G09G3/36
• 分類號(hào): G09G3/36
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種液晶面板，尤其涉及一種用于該液晶面板的驅(qū)動(dòng)電路。

背景技術(shù)

低溫多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，LTPS)是平板顯示器領(lǐng)域 中的繼非晶硅(Amorphous-Silicon，a-Si)之后的又一新技術(shù)。簡(jiǎn)而言之， 多晶硅(Poly-silicon)是一種約為0.1微米至數(shù)個(gè)微米大小、以硅為基底的 材料，它由許多硅粒子組合而成。在半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)中，多晶硅通常經(jīng)由 低壓化學(xué)氣相沉積(LowPressureChemicalVaporDeposition，LPCVD)處 理后，再以高于900攝氏度的退火程序制得。然而，因玻璃的最高承受溫 度只有650攝氏度，上述方法并不適合于平面顯示器制程，所以低溫多晶 硅技術(shù)特別適宜于平面顯示器產(chǎn)業(yè)。

傳統(tǒng)非晶硅材料的電子遷移率只有0.5cm²/V·s(厘米²/伏·秒)，而低溫 多晶硅材料的電子遷移率可達(dá)50～200cm²/V·s，相比于傳統(tǒng)的非晶硅薄膜 晶體管液晶顯示器，低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器的分辨率更高、反 應(yīng)速度更快、開(kāi)口率更高，同時(shí)還可將周邊驅(qū)動(dòng)電路制作在玻璃基板上， 實(shí)現(xiàn)在玻璃上集成系統(tǒng)(systemonglass，SOG)的目標(biāo)，從而減少組件的 對(duì)外接點(diǎn)，增加可靠度，縮短組裝制程時(shí)間及降低電磁干擾，節(jié)省空間和 成本。然而，現(xiàn)有的玻璃上集成系統(tǒng)應(yīng)用于液晶面板時(shí)，前端往往需要電 平移位電路(levelshiftcircuit)放大系統(tǒng)端的輸出電壓以供面板內(nèi)部使用。 不過(guò)，由于系統(tǒng)端較小的輸出電壓(例如3.3V)以及低溫多晶硅薄膜晶體 管制程上的臨界電壓差異容易引起電流驅(qū)動(dòng)能力不足，從而造成移位電路 功能失效。此外，當(dāng)系統(tǒng)端的信號(hào)電壓較小時(shí)，對(duì)薄膜晶體管的制程容許 度(processwindow)非常嚴(yán)苛，尤其以頻率較高的源驅(qū)動(dòng)器(sourcedriver) 為甚。

有鑒于此，如何設(shè)計(jì)一種用于液晶面板的驅(qū)動(dòng)電路新架構(gòu)，以改善電 平移位電路的操作電壓較低所引起的制程容許度問(wèn)題，從而克服現(xiàn)有技術(shù) 的上述缺陷或不足，是業(yè)內(nèi)相關(guān)技術(shù)人員亟待解決的一項(xiàng)課題。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的用于液晶面板的驅(qū)動(dòng)電路存在的上述缺陷，本發(fā)明提 供了一種可改善液晶面板的制程容許度的驅(qū)動(dòng)電路。

依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種用于液晶面板的驅(qū)動(dòng)電路，其中， 該驅(qū)動(dòng)電路包括一柵驅(qū)動(dòng)器與一源驅(qū)動(dòng)器，所述柵驅(qū)動(dòng)器包括一第一電平 移位電路，其電性耦接至一第一電壓、一接地電壓和一第二電壓；所述源 驅(qū)動(dòng)器包括一第二電平移位電路，其電性耦接至所述第一電壓以及所述第 二電壓的至少其中之一，藉由所述柵驅(qū)動(dòng)器的較高的所述第一電壓和/或所 述第二電壓來(lái)增加所述第二電平移位電路的電流驅(qū)動(dòng)能力，從而改善所述 液晶面板的制程容許度。

在一具體實(shí)施例，所述第一電壓和所述第二電壓分別對(duì)應(yīng)于所述第一 電平移位電路的正閾值電壓和負(fù)閾值電壓。

在一具體實(shí)施例，所述液晶面板還包括多個(gè)開(kāi)關(guān)，每一開(kāi)關(guān)的柵極電 性耦接至所述柵驅(qū)動(dòng)器的輸出端且源極電性耦接至所述源驅(qū)動(dòng)器的輸出 端，所述開(kāi)關(guān)為低溫多晶硅薄膜晶體管(LowTemperaturePoly-SiliconThin FilmTransistor，LTPS-TFT)。

在一具體實(shí)施例，所述第二電平移位電路還包括：正極性移位單元， 電性耦接至所述第一電壓和所述接地電壓且用于接收一系統(tǒng)信號(hào)；負(fù)極性 移位單元，與所述正極性移位單元相連接，所述負(fù)極性移位單元電性耦接 至所述第一電壓和所述第二電壓；以及緩沖單元，與所述負(fù)極性移位單元 相連接，所述緩沖單元電性耦接至一第一驅(qū)動(dòng)電壓和一第二驅(qū)動(dòng)電壓從而 將所述系統(tǒng)信號(hào)轉(zhuǎn)換為期望電壓，其中，所述第一驅(qū)動(dòng)電壓小于所述第一 電壓，所述第二驅(qū)動(dòng)電壓的絕對(duì)值小于所述第二電壓的絕對(duì)值。

在一具體實(shí)施例，所述第二電平移位電路還包括：正極性移位單元， 電性耦接至所述第一電壓和所述接地電壓且用于接收一系統(tǒng)信號(hào)；以及緩 沖單元，與所述正極性移位單元相連，所述緩沖單元電性耦接至一第一驅(qū) 動(dòng)電壓和所述接地電壓從而將所述系統(tǒng)信號(hào)轉(zhuǎn)換為期望電壓，其中，所述 第一驅(qū)動(dòng)電壓小于所述第一電壓。