[發(fā)明專利]一種基于MEEF的OPC驗(yàn)證方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610250573.9
• 申請日: 2016-04-21
• 公開（公告）號: CN105717740B
• 公開（公告）日: 2019-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何大權(quán);魏芳;朱駿;呂煜坤;張旭升
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F1/84
• 分類號: G03F1/84;G03F1/36
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

本發(fā)明公開了一種基于MEEF的OPC驗(yàn)證方法，該方法在傳統(tǒng)OPC驗(yàn)證的基礎(chǔ)上，對版圖進(jìn)行MEEF分析，根據(jù)模擬尺寸、MEEF值以及最大掩模板誤差獲得最小硅片尺寸，根據(jù)預(yù)定規(guī)格選擇不符合規(guī)格的圖形點(diǎn)，并對該圖形點(diǎn)量測掩模板尺寸以及量測硅片尺寸，如果掩模板尺寸超出規(guī)格則重新制作掩模板，否則如果硅片尺寸超出規(guī)格則優(yōu)化OPC方法,本發(fā)明通過基于MEEF的OPC驗(yàn)證，能夠檢測在掩模板尺寸存在誤差的情況下是否會導(dǎo)致硅片上圖形缺陷的問題，同時(shí)，本發(fā)明通過對工藝熱點(diǎn)風(fēng)險(xiǎn)較高的圖形點(diǎn)進(jìn)行掩模板尺寸測量，能進(jìn)一步確保掩模板的質(zhì)量，降低掩模板尺寸誤差帶來硅片圖形缺陷的風(fēng)險(xiǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及微電子版圖數(shù)據(jù)光學(xué)修正領(lǐng)域，特別是涉及一種基于MEEF(掩模板誤差增強(qiáng)因子)的OPC驗(yàn)證方法。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體制造掩模板出版過程中，OPC(Optical Proximity Correction,光學(xué)鄰近效應(yīng)修正)技術(shù)已經(jīng)廣泛的得到應(yīng)用。目前應(yīng)用最為廣泛的OPC方法是基于模型的OPC修正方法，通過OPC模型的模擬計(jì)算得到微影工藝潛在的成像誤差，從而對目標(biāo)圖形進(jìn)行預(yù)先修正以補(bǔ)償光學(xué)臨近效應(yīng)造成的圖形失真或變形。隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的往前推進(jìn)半導(dǎo)體制造的特征尺寸不斷縮小，對微影成像的精度要求也越來越高，這就要求OPC的修正精度必須達(dá)到工藝的需求。在基于模型的OPC方法中，OPC驗(yàn)證已經(jīng)成為OPC處理流程中一個(gè)必不可少的步驟，其基本原理是通過對掩模板圖形(也即OPC修正后的圖形)進(jìn)行全局模擬并檢查是否存在工藝熱點(diǎn)，以此判斷OPC修正是否正確。

在基于最佳工藝條件的OPC驗(yàn)證中，利用經(jīng)過校正的OPC模型對全數(shù)據(jù)版圖進(jìn)行模擬，從而檢查OPC后版圖是否存在OPC修正問題，這些修正問題可能導(dǎo)致硅片上諸如Bridge，Pinch以及互聯(lián)不足等缺陷，然而目前的OPC驗(yàn)證是基于掩模板不存在制作誤差進(jìn)行的，也就是說，在模擬過程中假定OPC后圖形與掩模板上的實(shí)際圖形不存在任何偏差。

由掩模板尺寸誤差引起的硅片尺寸誤差稱為MEEF(掩模板誤差增強(qiáng)因子)，MEEF的大小與微影工藝的曝光條件(光源，NA，Sigma，光阻等)有關(guān)，也跟不同圖形的圖形結(jié)構(gòu)(1D，2D，圖形密度等)相關(guān)；在實(shí)際半導(dǎo)體制造工藝中，同一技術(shù)節(jié)點(diǎn)的光刻工藝條件都已經(jīng)確定，因此一般MEEF就取決于圖形本身；MEEF大的圖形意味著小的掩模板尺寸誤差會造成大的硅片尺寸誤差，而MEEF值小表示硅片尺寸變化對掩模板尺寸偏差不敏感。

綜上所述，在傳統(tǒng)的OPC模擬驗(yàn)證過程中，由于假定掩模板制作過程不存在誤差，因此如果掩模板尺寸存在一定的誤差，就無法得到精確的驗(yàn)證結(jié)果，存在使工藝熱點(diǎn)遺漏的風(fēng)險(xiǎn)。

發(fā)明內(nèi)容

為克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本發(fā)明之目的在于提供一種基于MEEF的OPC驗(yàn)證方法，其通過基于MEEF的OPC驗(yàn)證，能夠檢測在掩模板尺寸存在誤差的情況下是否會導(dǎo)致硅片上圖形缺陷的問題，本發(fā)明能夠檢測并驗(yàn)證工藝熱點(diǎn)風(fēng)險(xiǎn)；同時(shí)，本發(fā)明通過對工藝熱點(diǎn)風(fēng)險(xiǎn)較高的圖形點(diǎn)進(jìn)行掩模板尺寸測量，能進(jìn)一步確保掩模板的質(zhì)量，降低掩模板尺寸誤差帶來硅片圖形缺陷的風(fēng)險(xiǎn)。

為達(dá)上述目的，本發(fā)明提出一種基于MEEF的OPC驗(yàn)證方法，該方法在傳統(tǒng)OPC驗(yàn)證的基礎(chǔ)上，對版圖進(jìn)行MEEF分析，根據(jù)模擬尺寸、MEEF值以及最大掩模板誤差獲得最小硅片尺寸，根據(jù)預(yù)定規(guī)格選擇不符合規(guī)格的圖形點(diǎn)，并對該圖形點(diǎn)量測掩模板尺寸以及量測硅片尺寸，如果掩模板尺寸超出規(guī)格則重新制作掩模板，否則如果硅片尺寸超出規(guī)格則優(yōu)化OPC方法。

進(jìn)一步地，該方法包括如下步驟：

步驟一，進(jìn)行常規(guī)OPC驗(yàn)證；

步驟二，利用OPC模型模擬OPC后圖形得到模擬尺寸，選擇模擬尺寸小于預(yù)設(shè)規(guī)格的圖形；

步驟三，對版圖進(jìn)行MEEF分析，選擇MEEF值超出規(guī)定的圖形點(diǎn)；

步驟四，根據(jù)模擬尺寸與MEEF值計(jì)算最大掩模板尺寸誤差情況下的最小硅片尺寸；