[發(fā)明專利]一種超薄溝道凹槽隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610250456.2
• 申請(qǐng)日: 2016-04-20
• 公開（公告）號(hào): CN105679821B
• 公開（公告）日: 2018-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王穎;曹菲;王艷福;于成浩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L29/772
• 分類號(hào): H01L29/772;H01L29/06;H01L29/10
• 代理公司: 杭州君度專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33240
• 代理人: 杜軍

1.一種超薄溝道凹槽隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管，特征在于：包括柵極(1)、源區(qū)(2)、漏區(qū)(3)、第一溝道區(qū)(4a)、第二溝道區(qū)(4b)、柵介質(zhì)層(5)、第一隔離層(6)以及埋氧層(7)；所述的柵極(1)下方設(shè)有柵介質(zhì)層(5)，柵極(1)與柵介質(zhì)層(5)位于第一溝道區(qū)(4a)上，第一隔離層(6)將柵極(1)與源區(qū)(2)隔離開，第二隔離層(8)將柵極(1)與漏區(qū)(3)隔離開；第一隔離層(6)和第二隔離層(8)的厚度不小于柵介質(zhì)層(5)的厚度；第二溝道區(qū)(4b)設(shè)置在漏區(qū)(3)的下方，源區(qū)(2)、第一溝道區(qū)(4a)、第二溝道區(qū)(4b)設(shè)置在埋氧層(7)上；其中第二溝道區(qū)(4b)的厚度不小于第一溝道區(qū)(4a)且不大于源區(qū)(2)的厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種超薄溝道凹槽隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管，特征在于：源區(qū)(2)摻雜濃度為1×10²⁰cm^-3。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種超薄溝道凹槽隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管，特征在于：漏區(qū)(3)摻雜濃度為5×10¹⁸—1×10²⁰cm^-3。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種超薄溝道凹槽隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管，特征在于：第一溝道區(qū)(4a)與第二溝道區(qū)(4b)的摻雜濃度是一致的，濃度不大于1×10¹⁷cm^-3。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種超薄溝道凹槽隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管，特征在于：隔離層(6)是絕緣介質(zhì)層構(gòu)成的。