[發明專利]金屬氧化物膜及金屬氧化物膜的形成方法有效
| 申請號： | 201610250248.2 | 申請日： | 2013-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN105734493B | 公開（公告）日： | 2018-11-16 |
| 發明（設計）人： | 高橋正弘;廣橋拓也;津吹將志;石原典隆;太田將志 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | C23C14/08 | 分類號： | C23C14/08;H01L21/02;H01L21/66;H01L29/04;H01L29/24;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 氧化物 形成 方法 | ||
1.一種金屬氧化物膜的制造方法，其特征在于，
其為具有銦、鎵、和鋅的金屬氧化物膜的制造方法，
在氧的分壓大于或等于33％的形成氣氛中，使用包含多晶氧化物的一種濺射靶材，通過濺射法形成所述金屬氧化物膜，
所述濺射靶材具有銦、鎵、和鋅，
所述金屬氧化物膜具有晶體部，
所述晶體部當形成所述金屬氧化物膜時形成，
所述晶體部的尺寸小于或等于10nm，
所述金屬氧化物膜具有在XRD測定中未觀察到對應于所述晶體部的峰值的區域。
2.一種金屬氧化物膜的制造方法，其特征在于，
其為具有銦、鎵、和鋅的金屬氧化物膜的制造方法，
在氧的分壓大于或等于33％的形成氣氛中，使用包含多晶氧化物的一種濺射靶材，通過濺射法形成所述金屬氧化物膜，
所述濺射靶材具有銦、鎵、和鋅，
所述金屬氧化物膜具有晶體部，
所述晶體部當形成所述金屬氧化物膜時形成，
所述晶體部的尺寸小于或等于10nm，
所述金屬氧化物膜具有在XRD測定中未觀察到對應于所述晶體部的峰值的區域，
所述金屬氧化物膜具有在納米束電子衍射圖案中觀察到呈圓周狀分布的多個斑點的區域。
3.一種金屬氧化物膜的制造方法，其特征在于，
其為具有銦、鎵、和鋅的金屬氧化物膜的制造方法，
在氧的分壓大于或等于33％的形成氣氛中，使用包含多晶氧化物的一種濺射靶材，通過濺射法形成所述金屬氧化物膜，
所述濺射靶材具有銦、鎵、和鋅，
所述金屬氧化物膜具有晶體部，
所述晶體部當形成所述金屬氧化物膜時形成，
所述晶體部的尺寸小于或等于10nm，
所述金屬氧化物膜具有在XRD測定中未觀察到對應于所述晶體部的峰值的區域，
所述金屬氧化物膜具有在納米束電子衍射圖案中觀察到呈圓周狀分布的多個斑點的區域，
所述金屬氧化物膜具有在選區電子衍射圖案中觀察到光暈圖案的區域。
4.根據權利要求2或3所述的金屬氧化物膜的制造方法，其特征在于，所述納米束電子衍射圖案的測量區域為小于或等于
5.根據權利要求1至3中任一項所述的金屬氧化物膜的制造方法，其特征在于，對所述金屬氧化物膜照射收斂至的電子束之前的納米束電子衍射圖案與對所述金屬氧化物膜照射所述電子束1分鐘后的納米束電子衍射圖案相似。
6.根據權利要求1至3中任一項所述的金屬氧化物膜的制造方法，其特征在于，所述晶體部的尺寸小于或等于5nm。
7.根據權利要求1至3中任一項所述的金屬氧化物膜的制造方法，其特征在于，所述晶體部的尺寸大于或等于1nm。
8.根據權利要求1至3中任一項所述的金屬氧化物膜的制造方法，其特征在于，所述XRD測定使用out-of-plane法。
9.根據權利要求1至3中任一項所述的金屬氧化物膜的制造方法，其特征在于，所述金屬氧化物膜的形成通過具有晶體的平板狀濺射粒子從所述濺射靶材裂開而進行。
10.根據權利要求1至3中任一項所述的金屬氧化物膜的制造方法，其特征在于，在不對形成所述金屬氧化物膜的襯底進行加熱的狀態下，形成所述金屬氧化物膜。
11.根據權利要求1至3中任一項所述的金屬氧化物膜的制造方法，其特征在于，在形成所述金屬氧化物膜后，對所述金屬氧化物膜進行含氮氣氛的第一熱處理和含氮及氧的氣氛的第二熱處理。
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