[發明專利]一種反應腔室及半導體加工設備有效
| 申請號: | 201610249863.1 | 申請日: | 2016-04-21 |
| 公開(公告)號: | CN107304474B | 公開(公告)日: | 2020-10-16 |
| 發明(設計)人: | 劉凱 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 反應 半導體 加工 設備 | ||
1.一種反應腔室,在所述反應腔室的一側設置有進氣裝置,用于向所述反應腔室內輸送工藝氣體,其特征在于,在所述反應腔室內設置有第一勻流板,所述第一勻流板和所述進氣裝置之間形成有氣體緩沖區;
所述第一勻流板上設置有多個氣體通道,以使所述氣體緩沖區內的工藝氣體經過所述氣體通道均勻地輸送至工藝區域;
在所述反應腔室內設置有承載裝置;
所述第一勻流板在水平面上的正投影形狀和與之相對的所述承載裝置的外邊緣在水平面上的正投影形狀相一致;
所述第一勻流板各個位置距離所述承載裝置外側壁之間的垂直距離相等。
2.根據權利要求1所述的反應腔室,其特征在于,所述反應腔室內且位于所述進氣裝置和所述第一勻流板之間還設置有第二勻流板;
所述第二勻流板與所述進氣裝置、所述第一勻流板之間均存在預設間距,以將所述氣體緩沖區劃分為第一緩沖區和第二緩沖區;
所述第二勻流板上設置有多個氣體通道,用于將所述第一緩沖區和所述第二緩沖區相連通。
3.根據權利要求1所述的反應腔室,其特征在于,所述反應腔室還包括:安裝板,與所述第一勻流板的側壁固定連接,且與所述反應腔室的內壁相平行。
4.根據權利要求2所述的反應腔室,其特征在于,所述反應腔室還包括:安裝板,與所述第一勻流板和所述第二勻流板的側壁均固定連接,且與所述反應腔室的內壁相平行。
5.根據權利要求3或4所述的反應腔室,其特征在于,所述安裝板的數量與所述第一勻流板的側壁數量相同,為多個,且二者一一對應。
6.根據權利要求5所述的反應腔室,其特征在于,所述多個安裝板均朝向在所述第一勻流板的同一側設置,且相鄰兩個所述安裝板固定連接。
7.根據權利要求1所述的反應腔室,其特征在于,所述反應腔室為矩形腔室,所述進氣裝置設置在所述反應腔室的左側壁或右側壁上,用于沿趨于水平方向向所述反應腔室內輸送工藝氣體。
8.根據權利要求2所述的反應腔室,其特征在于,所述第二勻流板在水平面上的正投影形狀和與之相對的所述承載裝置的外邊緣在水平面上的正投影形狀相一致。
9.一種半導體加工設備,包括反應腔室,其特征在于,所述反應腔室采用權利要求1-8任意一項所述的反應腔室。
10.根據權利要求9所述的半導體加工設備,其特征在于,所述半導體加工設備包括化學氣相沉積設備。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





