[發明專利]圖案化MRAM堆棧的干法等離子體蝕刻法有效
| 申請號： | 201610248296.8 | 申請日： | 2016-04-20 |
| 公開（公告）號： | CN106067513B | 公開（公告）日： | 2019-07-09 |
| 發明（設計）人： | 薩曼莎·坦;特塞翁格·金姆;楊文斌;杰弗里·馬克斯;索斯藤·利爾 | 申請（專利權）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分類號： | H01L43/12 | 分類號： | H01L43/12;H01J37/305 |
| 代理公司： | 上海勝康律師事務所 31263 | 代理人： | 樊英如;李獻忠 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 圖案 mram 堆棧 等離子體 蝕刻 | ||
【說明書】：
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