[發明專利]一步法制備氧化鎘納米線的方法及其應用

在審

• 申請號: 201610247676.X
• 申請日: 2016-04-20
• 公開（公告）號: CN107304065A
• 公開（公告）日: 2017-10-31
• 發明（設計）人: 魯逸人;陳鵬;李振國;童銀棟;劉雙喜;張立紅;任曉寧;劉憲華;魏樹龍
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: C01G11/00
• 分類號: C01G11/00
• 代理公司: 天津創智天誠知識產權代理事務所(普通合伙)12214
• 代理人: 王秀奎

1.一步法制備氧化鎘納米線的方法，其特征在于，按照下述步驟進行：

步驟1，將氧化鎘粉末和鉍粉末分別置于容器中，并將兩個容器置于真空管式氣氛爐的石英管中且位于真空管式氣氛爐加熱區的中心，在石英管的出氣口處設置載體；

步驟2，向石英管中通入惰性氣體并抽真空，以消除氧氣，使得石英管中的壓力小于0.1托，調整向石英管中通入的惰性氣體的流量并維持穩定，以使惰性氣體作為載氣使用且石英管內壓力維持在5—8托；

步驟3，真空管式氣氛爐加熱區中心以5—10℃/分鐘的速度自室溫20—25攝氏度加熱到700-750℃并維持，以使在石英管出氣口處的載體上生長出氧化鎘納米線；氧化鎘納米線的主體是均勻支化的氧化鎘納米線，且在氧化鎘納米線的端部為三氧化二鉍。

2.根據權利要求1所述的一步法制備氧化鎘納米線的方法，其特征在于，在步驟1中，所述載體為FTO玻璃，X型分子篩或者Y型分子篩。

3.根據權利要求1所述的一步法制備氧化鎘納米線的方法，其特征在于，在步驟1中，氧化鎘和鉍的摩爾比為(5—20)：(1—3)，優選(10—15)：(2—3)；氧化鎘粉末至少為化學純，粒徑為納米或者微米級，例如200—500nm，或者400—800微米；鉍粉末至少為化學純，粒徑為納米或者微米級，例如200—500nm，或者400—800微米。

4.根據權利要求1所述的一步法制備氧化鎘納米線的方法，其特征在于，在步驟2中，惰性氣體為不參與反應的，且性質穩定的氣體，例如氮氣、氦氣或者氬氣。

5.根據權利要求1所述的一步法制備氧化鎘納米線的方法，其特征在于，在步驟2中，惰性氣體作為載氣使用時，惰性氣體的流量穩定在200—500sccm，優選300—400sccm。

6.根據權利要求1所述的一步法制備氧化鎘納米線的方法，其特征在于，在步驟2中，惰性氣體作為載氣使用時，石英管內壓力維持在5—6托。

7.根據權利要求1所述的一步法制備氧化鎘納米線的方法，其特征在于，在步驟3中，在700-750℃下維持時間至少20min，優選20-40分鐘。

8.根據權利要求1所述的一步法制備氧化鎘納米線的方法，其特征在于，在步驟3中，在完成制備后，保持惰性氣體的流通，自然冷卻至室溫20—25攝氏度。

9.如權利要求1所述的制備方法制備的氧化鎘納米線催化劑，其特征在于，氧化鎘的負載量為5—20wt％，優選10—15wt％。

10.如權利要求1制備的氧化鎘納米線，或者如權利要求9所述的氧化鎘納米線催化劑在光電領域中的應用。