[發(fā)明專利]使用兩個(gè)多晶硅沉積步驟來(lái)形成三柵極非易失性閃存單元對(duì)的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610247666.6
• 申請(qǐng)日: 2016-04-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107305892B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-10-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: F.周;X.劉;C-S.蘇;N.杜;C.王
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 硅存儲(chǔ)技術(shù)公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/11517
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/11517;H01L27/11521;H01L29/423;H01L29/788;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 申屠偉進(jìn);王傳道

本發(fā)明提供了一種用于使用兩次多晶硅沉積形成非易失性存儲(chǔ)器單元對(duì)的簡(jiǎn)化方法。在第一多晶硅沉積工藝中，在半導(dǎo)體襯底上形成第一多晶硅層，并將所述第一多晶硅層與所述半導(dǎo)體襯底絕緣。在所述第一多晶硅層上形成一對(duì)間隔開(kāi)的絕緣塊。將所述第一多晶硅層的暴露部分移除，同時(shí)保持所述第一多晶硅層的各自被設(shè)置在所述一對(duì)絕緣塊中的一個(gè)絕緣塊下方的一對(duì)多晶硅塊。在第二多晶硅沉積工藝中，在所述襯底和所述一對(duì)絕緣塊上方形成第二多晶硅層。在保持第一多晶硅塊(設(shè)置在所述第一對(duì)絕緣塊之間)、第二多晶硅塊(設(shè)置成與一個(gè)絕緣塊的外側(cè)相鄰)和第三多晶硅塊(設(shè)置成與另一絕緣塊的外側(cè)相鄰)的同時(shí)，將所述第二多晶硅層的部分移除。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種具有字線(WL)柵極、浮動(dòng)?xùn)艠O和擦除柵極的非易失性閃存單元。

背景技術(shù)

具有字線(WL)柵極、浮動(dòng)?xùn)艠O和擦除柵極的分裂柵非易失性閃存單元是本領(lǐng)域所熟知的。參見(jiàn)例如美國(guó)專利7,315,056，該專利全文以引用方式并入本文。

隨著非易失性存儲(chǔ)器單元尺寸的減小，制造這樣的存儲(chǔ)器單元在自對(duì)準(zhǔn)元件和數(shù)量減少的工序(例如，掩模步驟、多晶硅沉積步驟等)方面變得更具有挑戰(zhàn)性。因此，本發(fā)明的一個(gè)目標(biāo)是隨著存儲(chǔ)器單元尺寸的不斷縮小而簡(jiǎn)化制造工藝。

發(fā)明內(nèi)容

一種用于形成一對(duì)非易失性存儲(chǔ)器單元的簡(jiǎn)化方法包括：在半導(dǎo)體襯底上形成第一絕緣層；在第一多晶硅沉積工藝中，在所述第一絕緣層上形成第一多晶硅層；在所述第一多晶硅層上形成一對(duì)間隔開(kāi)的絕緣塊，每一個(gè)所述絕緣塊具有面朝彼此的第一側(cè)和背對(duì)彼此的第二側(cè)；在保持所述第一多晶硅層的被設(shè)置在所述一對(duì)絕緣塊下方以及所述一對(duì)絕緣塊之間的部分的同時(shí)，將所述第一多晶硅層的部分移除；形成與所述第一側(cè)相鄰并且位于所述第一多晶硅層的設(shè)置在所述一對(duì)絕緣塊之間的部分上方的一對(duì)間隔開(kāi)的絕緣間隔物；將所述第一多晶硅層的設(shè)置在所述絕緣間隔物之間的部分移除，同時(shí)保持所述第一多晶硅層的各自被設(shè)置在所述一對(duì)絕緣塊中的一個(gè)絕緣塊和所述一對(duì)絕緣間隔物中的一個(gè)絕緣間隔物下方的一對(duì)多晶硅塊；在所述襯底中且在所述一對(duì)絕緣塊之間形成源極區(qū)域；將所述一對(duì)絕緣間隔物移除；形成至少沿著所述一對(duì)多晶硅塊中每個(gè)多晶硅塊的端部延伸的絕緣材料；在第二多晶硅沉積工藝中，在所述襯底和所述一對(duì)絕緣塊上方形成第二多晶硅層；在保持所述第二多晶硅層的第一多晶硅塊、第二多晶硅塊和第三多晶硅塊的同時(shí)(其中所述第一多晶硅塊被設(shè)置在所述一對(duì)絕緣塊之間以及所述源極區(qū)域上方，所述第二多晶硅塊被設(shè)置成與所述絕緣塊中的一個(gè)絕緣塊的所述第二側(cè)相鄰，所述第三多晶硅塊被設(shè)置成與所述絕緣塊中的另一絕緣塊的所述第二側(cè)相鄰)，將所述第二多晶硅層的部分移除；在所述襯底中并與所述第二多晶硅塊相鄰形成第一漏極區(qū)域；以及在所述襯底中并與所述第三多晶硅塊相鄰形成第二漏極區(qū)域。

一種形成一對(duì)非易失性存儲(chǔ)器單元的簡(jiǎn)化方法包括：在半導(dǎo)體襯底上形成第一絕緣層；在第一多晶硅沉積工藝中，在所述第一絕緣層上形成第一多晶硅層；在所述第一多晶硅層上形成一對(duì)間隔開(kāi)的絕緣塊，每一個(gè)所述絕緣塊具有面朝彼此的第一側(cè)和背對(duì)彼此的第二側(cè)；在保持所述第一多晶硅層的各自被設(shè)置在所述一對(duì)絕緣塊中的一個(gè)絕緣塊下方的一對(duì)多晶硅塊的同時(shí)，將所述第一多晶硅層的部分移除；形成與所述第一側(cè)和所述第二側(cè)相鄰的絕緣間隔物；將與所述第一側(cè)相鄰的所述絕緣間隔物移除；在所述襯底中且在所述一對(duì)絕緣塊之間形成源極區(qū)域；形成至少沿著所述第一側(cè)并沿著與所述第二側(cè)相鄰的所述絕緣間隔物延伸的絕緣材料層；在第二多晶硅沉積工藝中，在所述襯底和所述一對(duì)絕緣塊上方形成第二多晶硅層；在保持所述第二多晶硅層的第一多晶硅塊、第二多晶硅塊和第三多晶硅塊的同時(shí)(其中所述第一多晶硅塊被設(shè)置在所述一對(duì)絕緣塊之間以及所述源極區(qū)域上方，所述第二多晶硅塊被設(shè)置成與所述絕緣塊中的一個(gè)絕緣塊的所述第二側(cè)相鄰，所述第三多晶硅塊被設(shè)置成與所述絕緣塊中的另一絕緣塊的所述第二側(cè)相鄰)，將所述第二多晶硅層的部分移除；在所述襯底中并與所述第二多晶硅塊相鄰形成第一漏極區(qū)域；以及在所述襯底中并與所述第三多晶硅塊相鄰形成第二漏極區(qū)域。