[發(fā)明專(zhuān)利]差動(dòng)傳輸線屏蔽結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610247241.5
• 申請(qǐng)日: 2016-04-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105762136B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-12-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳錦濤;章國(guó)豪;朱曉銳;區(qū)力翔;余凱;林俊明
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 佛山臻智微芯科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/522
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/522
• 代理公司: 廣州市南鋒專(zhuān)利事務(wù)所有限公司 44228
• 代理人: 劉媖

本發(fā)明屬于集成電路后端中的屏蔽結(jié)構(gòu)，差動(dòng)傳輸線屏蔽結(jié)構(gòu)，包括差動(dòng)傳輸線，所述的差動(dòng)傳輸線上設(shè)有若干屏蔽單元，所述的屏蔽單元包括上層材料、下層材料、連接柱，所述的上層材料設(shè)在差動(dòng)傳輸線的上方，所述的下層材料設(shè)在差動(dòng)傳輸線的下方，所述的差動(dòng)傳輸線的左右兩邊設(shè)有連接柱，所述的上層材料、下層材料和連接柱構(gòu)成閉合回路，所述的半導(dǎo)體襯底接地，本發(fā)明有益效果在于：能很好的保護(hù)差動(dòng)傳輸線不受外界線路的電磁干擾，能消除差動(dòng)傳輸線的內(nèi)部電磁干擾，可以通過(guò)改變傳輸線保護(hù)單位的密度，調(diào)整達(dá)到需要的電路性能指標(biāo)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于集成電路后端中的屏蔽結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

集成電路體積小性能好、同時(shí)便于大規(guī)模生產(chǎn)。它不僅在工、民用電子設(shè)備方面得到廣泛的應(yīng)用，同時(shí)在軍事、通訊、遙控等方面也得到廣泛的應(yīng)用，已成為當(dāng)代各行各業(yè)智能化工作的基石，但與此同時(shí)，電磁干擾現(xiàn)象給集成電路的可靠性提出了難題，集成電路設(shè)備在電磁干擾作用下的表現(xiàn)是多種多樣的，主要表現(xiàn)是多種多樣的，主要表現(xiàn)為降低技術(shù)性能指標(biāo)，導(dǎo)致集成電路設(shè)備可靠性降低。常表現(xiàn)為語(yǔ)音系統(tǒng)語(yǔ)言清晰度差，圖像信息系統(tǒng)清晰度降低、數(shù)字系統(tǒng)誤碼率正價(jià)、控制系統(tǒng)失控或誤操作等；當(dāng)發(fā)生電磁兼容性故障時(shí)，會(huì)給國(guó)防、工業(yè)、醫(yī)療、科研和交通運(yùn)輸?shù)葞?lái)巨大的損失及生命安全。

電磁干擾三要素，即干擾源、干擾傳播途徑和敏感設(shè)備。電磁干擾的常用處理方法包括：屏蔽、接地、濾波和電路的布線措施，關(guān)于傳輸線屏蔽保護(hù)，有兩種傳統(tǒng)的方法。一種是分別在兩條差動(dòng)傳輸線的旁邊耦合一條或多條平行于差動(dòng)傳輸線的導(dǎo)電線路，導(dǎo)電線路與差動(dòng)傳輸線在同一層金屬層上，而且這些導(dǎo)電線路一般接在高電壓或者低電壓上。

申請(qǐng)?zhí)枺?01180018461.6的專(zhuān)利文獻(xiàn)公開(kāi)了用于傳輸線的屏蔽結(jié)構(gòu)，一種屏蔽結(jié)構(gòu)包括：第一梳狀結(jié)構(gòu)和第二梳狀結(jié)構(gòu)，限定于集成電路上的第一金屬化層中，每個(gè)梳狀結(jié)構(gòu)包括多個(gè)齒，每個(gè)梳狀結(jié)構(gòu)的齒朝著另一齒狀結(jié)構(gòu)延伸；第一多個(gè)電傳導(dǎo)過(guò)孔，從第一梳狀結(jié)構(gòu)向上延伸；第二多個(gè)電傳導(dǎo)過(guò)孔，從第二梳狀結(jié)構(gòu)向上延伸；第一平面結(jié)構(gòu)和第二平面結(jié)構(gòu)，在第一金屬化層之上的第二金屬化層中；第三多個(gè)電傳導(dǎo)過(guò)孔，從第一平面結(jié)構(gòu)朝著第一多個(gè)電傳導(dǎo)過(guò)孔向下延伸；以及第四多個(gè)電傳導(dǎo)過(guò)孔，從第二平面結(jié)構(gòu)朝著第二多個(gè)電傳導(dǎo)過(guò)孔向下延伸。第一梳狀結(jié)構(gòu)和第二梳狀結(jié)構(gòu)、第一平面結(jié)構(gòu)和第二平面結(jié)構(gòu)以及第一電傳導(dǎo)過(guò)孔、第二電傳導(dǎo)過(guò)孔、第三電傳導(dǎo)過(guò)孔和第四電傳導(dǎo)過(guò)孔都在基本上相同電勢(shì)。在一個(gè)實(shí)施例中，一個(gè)或者多個(gè)信號(hào)線在第一平面結(jié)構(gòu)與第二平面結(jié)構(gòu)之間位于第二金屬化層中；并且在另一實(shí)施例中，它們位于第一金屬化層與第二金屬化層之間的第三金屬化層中，但由于該屏蔽結(jié)構(gòu)與傳輸線長(zhǎng)程平行，容易發(fā)生傳輸線和屏蔽結(jié)構(gòu)的寄生耦合。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決上述問(wèn)題，提供傳輸線屏蔽結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：差動(dòng)傳輸線屏蔽結(jié)構(gòu)，包括差動(dòng)傳輸線，所述的差動(dòng)傳輸線上設(shè)有若干屏蔽單元，所述的屏蔽單元包括上層材料、下層材料、連接柱，所述的上層材料設(shè)在差動(dòng)傳輸線的上方，所述的下層材料設(shè)在差動(dòng)傳輸線的下方，所述的差動(dòng)傳輸線的左右兩邊設(shè)有連接柱，所述的上層材料、下層材料和連接柱構(gòu)成閉合回路，所述的半導(dǎo)體襯底接地。

本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)過(guò)程如下：當(dāng)屏蔽單元周?chē)嬖陔姶鸥蓴_時(shí)，所述的上層材料、下層材料為良導(dǎo)體，能將電磁場(chǎng)的電場(chǎng)部分屏蔽在屏蔽單元的外表面，根據(jù)電場(chǎng)的方向的不同，在屏蔽單元的外表面感應(yīng)出與干擾電場(chǎng)相反的電場(chǎng)抵消干擾電場(chǎng)的作用，使屏蔽單元的內(nèi)部的場(chǎng)強(qiáng)保持為零，于此同時(shí)對(duì)于差動(dòng)傳輸線內(nèi)部的發(fā)出的高頻的電磁場(chǎng)，很容易在屏蔽單元上形成渦流，將電磁場(chǎng)的能量消耗殆盡，實(shí)現(xiàn)了對(duì)差動(dòng)傳輸線完全屏蔽。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有傳輸線保護(hù)技術(shù)結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為現(xiàn)有傳輸線保護(hù)技術(shù)結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為差動(dòng)傳輸線屏蔽結(jié)構(gòu)的主視圖。

圖4為差動(dòng)傳輸線屏蔽結(jié)構(gòu)的截面圖。