[發(fā)明專利]一種中頻感應(yīng)加熱化學(xué)氣相沉積裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610247059.X | 申請日: | 2016-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN105734533A | 公開(公告)日: | 2016-07-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 章嵩;李登峰;徐偉清;涂溶 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢理工大學(xué) |
| 主分類號: | C23C16/46 | 分類號: | C23C16/46;C23C16/455 |
| 代理公司: | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人: | 崔友明 |
| 地址: | 430070 湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 中頻 感應(yīng) 加熱 化學(xué) 沉積 裝置 | ||
1.一種中頻感應(yīng)加熱化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于,包括石英管、感應(yīng)石墨和襯底,石英管外壁上套設(shè)有線圈,感應(yīng)石墨設(shè)置于石英管內(nèi),感應(yīng)石墨下方設(shè)有底座,感應(yīng)石墨與底座之間設(shè)有多根支撐管,通過支撐管支撐連接,感應(yīng)石墨與底座之間設(shè)有移動(dòng)支座,移動(dòng)支座下端與底座上端支撐連接,襯底設(shè)置于移動(dòng)支座上端,移動(dòng)支座通過上下移動(dòng)調(diào)節(jié)襯底與感應(yīng)石墨的距離,石英管頂部設(shè)有進(jìn)氣裝置,原料氣體源通過進(jìn)氣管與進(jìn)氣裝置連接,原料氣體經(jīng)進(jìn)氣裝置進(jìn)入石英管內(nèi)腔,石英管下部設(shè)有泵。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中頻感應(yīng)加熱化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于,感應(yīng)石墨為管狀中空結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中頻感應(yīng)加熱化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于,移動(dòng)支座包括支座和中空陶瓷管,支座底部通過中空陶瓷管與底座上端連接,中空陶瓷管分為上中空陶瓷管和下中空陶瓷管,上中空陶瓷管下端套接于下中空陶瓷管的上端,上中空陶瓷管和下中空陶瓷管通過螺栓固定。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的中頻感應(yīng)加熱化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于,中空陶瓷管內(nèi)設(shè)有第二熱電偶。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中頻感應(yīng)加熱化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于,感應(yīng)石墨設(shè)置于線圈中心。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中頻感應(yīng)加熱化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于,支撐管材料為陶瓷。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中頻感應(yīng)加熱化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于,多個(gè)支撐管中任意一個(gè)內(nèi)設(shè)有第一熱電偶。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中頻感應(yīng)加熱化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于,所述支撐管個(gè)數(shù)為3~5個(gè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中頻感應(yīng)加熱化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于,所述進(jìn)氣管包括至少2根進(jìn)氣管,每根進(jìn)氣管上依次設(shè)有流量計(jì)和閥門。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的中頻感應(yīng)加熱化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于,所述進(jìn)氣管的個(gè)數(shù)為3個(gè),其中一個(gè)進(jìn)氣管上設(shè)有原料罐,原料罐設(shè)置于流量計(jì)和閥門之間。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
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C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
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