[發明專利]電容耦合等離子體處理裝置與等離子體處理方法

有效

• 申請號: 201610246809.1
• 申請日: 2016-04-20
• 公開（公告）號: CN107305830B
• 公開（公告）日: 2020-02-11
• 發明（設計）人: 葉如彬;梁潔;涂樂義;徐朝陽;楊金全
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備(上海)股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 31249 上海信好專利代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 朱成之

1.一種電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

反應腔，設置有頂壁、側壁與底壁；

上電極，設置在所述頂壁；

下電極，位于所述反應腔內，并與所述上電極相對設置；

射頻功率源，施加于所述下電極；

偏置功率源，施加于所述下電極；

阻抗調節裝置，所述阻抗調節裝置的一端連接所述上電極，另一端接地，所述上電極通過所述阻抗調節裝置接地，形成使射頻電流通過上電極的第一射頻電流路徑，所述側壁直接接地，形成使射頻電流通過側壁的第二射頻電流路徑；通過所述阻抗調節裝置使第一射頻電流路徑的阻抗可調節，對通過第一、第二射頻電流路徑的射頻電流進行分配；或者，所述阻抗調節裝置的一端連接所述側壁，另一端接地，所述側壁通過所述阻抗調節裝置接地，所述上電極直接接地。

2.如權利要求1所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述阻抗調節裝置包括一可變電容器。

3.如權利要求1所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述阻抗調節裝置包括一可變電感器。

4.如權利要求1所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述阻抗調節裝置包括并聯的一可變電容器與一可變電感器。

5.如權利要求1所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述阻抗調節裝置包括一單刀雙擲開關、一可變電容器與一可變電感器，所述單刀雙擲開關的兩輸出端分別連接所述可變電容器與所述可變電感器。

6.一種電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

反應腔，包含接地的側壁，形成使射頻電流通過側壁的第二射頻電流路徑；

相對設置的第一電極與第二電極，第一、二電極之間為等離子體處理空間；

射頻功率源，施加于所述第二電極；

所述第一電極通過一阻抗調節裝置接地，形成使射頻電流通過第一電極的第一射頻電流路徑，所述阻抗調節裝置包括一可變電感器，使第一射頻電流路徑的阻抗可調節，對通過第一、第二射頻電流路徑的射頻電流進行分配；所述第二電極為下電極，所述第一電極為上電極。

7.一種電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

反應腔，包含接地的側壁，形成使射頻電流通過側壁的第二射頻電流路徑；

相對設置的第一電極與第二電極，第一、二電極之間為等離子體處理空間；

偏置功率源，施加于所述第二電極；

所述第一電極通過一阻抗調節裝置接地，形成使射頻電流通過第一電極的第一射頻電流路徑，所述阻抗調節裝置包括一可變電容器，使第一射頻電流路徑的阻抗可調節，對通過第一、第二射頻電流路徑的射頻電流進行分配；所述第二電極為下電極，所述第一電極為上電極。

8.如權利要求7所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，一射頻功率源施加于所述第二電極。

9.如權利要求8所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述阻抗調節裝置包括并聯的一可變電容器與一可變電感器。

10.如權利要求8所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述阻抗調節裝置包括一單刀雙擲開關、一可變電容器與一可變電感器，所述單刀雙擲開關的兩輸出端分別連接所述可變電容器與所述可變電感器。

11.一種等離子體處理方法，其特征在于，包括：

將待處理基片放入如權利要求1至10任一項所述的電容耦合等離子體處理裝置內，并調節阻抗調節裝置；

通入處理氣體至所述電容耦合等離子體處理裝置，對待處理基片進行加工。