[發(fā)明專利]一種精密控制6英寸碳化硅單晶生長溫場的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610245235.6 | 申請日： | 2016-04-19 |
| 公開（公告）號： | CN105696079A | 公開（公告）日： | 2016-06-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉欣宇;張云偉;靳麗婕;何麗娟;陳穎超 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B35/00 |
| 代理公司： | 北京中創(chuàng)陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11003 | 代理人： | 尹振啟;張希宇 |
| 地址： | 101111 北京市通*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 精密 控制 英寸 碳化硅 生長 方法 | ||
1.一種精密控制6英寸碳化硅單晶生長溫場的方法，其特征在于，為該方法配備一碳化 硅單晶生長用單晶爐，該單晶爐包括用于加熱坩堝的發(fā)熱筒和感應(yīng)加熱發(fā)熱筒的加熱線 圈；
該方法包括如下步驟：
步驟1）基于感應(yīng)加熱法設(shè)計所述加熱線圈，該加熱線圈由軸向排布的若干段線圈單元 組合而成，每段線圈單元連接有獨立控制裝置；
步驟2）通過控制每段線圈單元的加熱參數(shù)，使發(fā)熱筒各部分的發(fā)熱量發(fā)生改變，從而 精確控制單晶爐腔內(nèi)溫度場，始終保持晶體生長的前沿處于適合其生長的溫區(qū)，最終得到 碳化硅單晶。
2.如權(quán)利要求1所述的精密控制6英寸碳化硅單晶生長溫場的方法，其特征在于，根據(jù) 場溫控制需求，確定每段所述線圈單元的匝數(shù)，且所述加熱線圈的匝間距相同。
3.如權(quán)利要求1所述的精密控制6英寸碳化硅單晶生長溫場的方法，其特征在于，每段 所述線圈單元為單匝或者多匝。
4.如權(quán)利要求1所述的精密控制6英寸碳化硅單晶生長溫場的方法，其特征在于，所述 加熱線圈為水冷管式銅線圈。
5.如權(quán)利要求1所述的精密控制6英寸碳化硅單晶生長溫場的方法，其特征在于，每段 所述線圈單元連接有獨立控制電源，或者所有線圈單元連接同一電源，每段線圈單元連接 有各自的分線控制器，由所述分線控制器獨立控制每段線圈單元的功率。
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