[發明專利]一種大尺寸高密度細晶粒ITO靶材的常壓燒結制造方法

有效

• 申請號: 201610244597.3
• 申請日: 2016-04-19
• 公開（公告）號: CN105712719B
• 公開（公告）日: 2019-02-26
• 發明（設計）人: 張士察;孫振德
• 申請（專利權）人: 北京冶科納米科技有限公司
• 主分類號: C04B35/64
• 分類號: C04B35/64;C04B35/457
• 代理公司: 北京英特普羅知識產權代理有限公司 11015
• 代理人: 齊永紅

1.一種大尺寸高密度細晶粒ITO靶材的常壓燒結制造方法，其特征在于：包括以下步驟：

1)將純度大于99.99％的ITO粉體，依次經模壓處理及冷等靜壓處理后，得到ITO素坯；

2)將ITO素坯進行脫脂處理后，對ITO素坯進行抽真空并向素坯孔隙中填充氧氣處理；

3)步驟2)中經抽真空及充氧處理后的素坯在常壓通氧氣氛下進行常壓燒結處理，即得所述的ITO靶材；其中：

步驟2)中所述的抽真空并向素坯孔隙中填充氧氣處理的真空度為10^-4～10^-2Pa，充氧壓力為10～100KPa，保壓時間為10～60min；

步驟3)中所述的常壓燒結處理，其燒結溫度為1550～1600℃，保溫時間為20～40h，且氧氣的純度為99.99％以上，且含水量小于5ppm，氧流量為20～1000ml/min。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于：步驟1)中所述的ITO粉體，其比表面積為10～20m²/g，粒度為0.1～2μm，振實密度為1.7～2.5g/cm²。

3.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于：步驟1)中所述的模壓處理的模壓壓力為50～100MPa，保壓時間為5～20min。

4.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于：步驟1)中所述的冷等靜壓處理的冷等靜壓壓力為250～400MPa，保壓時間為5～20min。

5.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于：步驟2)中所述的脫脂處理的處理溫度為500～800℃，脫脂時間為30～50h。