[發明專利]一種具有穩定波長的鎖模半導體激光器

在審

• 申請號: 201610244288.6
• 申請日: 2016-04-19
• 公開（公告）號: CN105742956A
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發明（設計）人: 崔碧峰;房天嘯;郝帥
• 申請（專利權）人: 北京工業大學
• 主分類號: H01S5/065
• 分類號: H01S5/065
• 代理公司: 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203
• 代理人: 張慧

1.一種具有穩定波長的鎖模半導體激光器結構，其特征在于：主要包括半導體激光器芯片(1)、飽和吸收區(2)與其一側的全反膜、中間的電隔離槽(5)、增益區(3)和出光處的若干對光柵(4)及增透膜；

在半導體激光器芯片(1)的P面上，從端面A開始依次為飽和吸收區(2)、中間的電隔離槽(5)、增益區(3)和出光處的若干對光柵(4)；在飽和吸收區(2)對應的端面A處具有全反膜；增益區(3)出光方向垂直光柵(4)。

2.按照權利要求1的一種具有穩定波長的鎖模半導體激光器結構，其特征在于：在光柵(4)出光處對應的半導體激光器芯片(1)端面B處設有增透膜；半導體激光器芯片(1)端面A和端面B相對。

3.按照權利要求1的一種具有穩定波長的鎖模半導體激光器結構，其特征在于：出光經過光柵(4)后，出射光必須在B面上。

4.按照權利要求1的一種具有穩定波長的鎖模半導體激光器結構，其特征在于：增益區是直的或是中間帶有角度θ的彎折結構，彎折角度θ≤7°。

5.按照權利要求1的一種具有穩定波長的鎖模半導體激光器結構，其特征在于：增益區(3)體材料為GaN/InGaN、AlGaAs/GaAs、InGaAs/AlGaAs、InAs/GaAs、AlGaInAs/InP、GaInNAsSb/GaAs、InGaAsP/InP、AlGaIn/AsSb/GaSb體系中任意一種。

6.按照權利要求1的一種具有穩定波長的鎖模半導體激光器結構，其特征在于：出光處的若干對光柵(4)為具有波長選擇功能的光柵，光柵擺放的方向垂直于增益區出光方向，對不同中心波長的波段進行縱模選擇，達到輸出波長的穩定。

7.按照權利要求1的一種具有穩定波長的鎖模半導體激光器結構，其特征在于：電隔離槽(5)的作用是電隔離，并不是光隔離，對于光波導在飽和吸收區和增益區之間是連續的；電隔離槽的寬度在5μm～50μm之間，凹槽深度在50nm～5μm之間。

8.按照權利要求1的一種具有穩定波長的鎖模半導體激光器結構，其特征在于：在工作時，增益區加正向電流形成增益，而吸收區加反向偏壓來控制可飽和吸收恢復時間，從而獲得較窄的脈沖輸出。

9.按照權利要求1的一種具有穩定波長的鎖模半導體激光器結構，其特征在于：半導體激光器芯片(1)對波長集中在300nm～2μm的波段進行高反。