[發明專利]一種超寬帶巴倫有效
| 申請號: | 201610242536.3 | 申請日: | 2016-04-19 |
| 公開(公告)號: | CN105762475A | 公開(公告)日: | 2016-07-13 |
| 發明(設計)人: | 戴永勝;陳相治 | 申請(專利權)人: | 戴永勝;陳相治 |
| 主分類號: | H01P5/10 | 分類號: | H01P5/10 |
| 代理公司: | 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 翁斌 |
| 地址: | 210094 江蘇省南京市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 寬帶 | ||
技術領域
本發明涉及一種巴倫,特別是一種超寬帶巴倫。
背景技術
近年來,隨著移動通信、衛星通信及國防電子系統的微型化的迅速發展,高性能、低成本和小型化已經成為目前微波/射頻領域的發展方向,對巴倫的性能、尺寸、可靠性和成本均提出了更高的要求。描述這種部件性能的主要指標有:工作頻率、帶寬、插入損耗、相位平衡度。利用傳輸線間邊沿耦合,可以構成超寬帶巴倫。
低溫共燒陶瓷是一種電子封裝技術,采用多層陶瓷技術,能夠將無源元件內置于介質基板內部,同時也可以將有源元件貼裝于基板表面制成無源/有源集成的功能模塊。LTCC技術在成本、集成封裝、布線線寬和線間距、低阻抗金屬化、設計多樣性和靈活性及高頻性能等方面都顯現出眾多優點,已成為無源集成的主流技術。其具有高Q值,便于內嵌無源器件,散熱性好,可靠性高,耐高溫,沖震等優點,利用LTCC技術,可以很好的加工出尺寸小,精度高,緊密型好,損耗小的微波器件。由于LTCC技術具有三維立體集成優勢,在微波頻段被廣泛用來制造各種微波無源元件,實現無源元件的高度集成。基于LTCC工藝的疊層技術,可以實現三維集成,從而使各種微型微波濾波器具有尺寸小、重量輕、性能優、可靠性高、批量生產性能一致性好及低成本等諸多優點,利用其三維集成結構特點,可以實現微型超寬帶巴倫。
發明內容
本發明的目的是提供一種超寬帶巴倫,采用LTCC技術的微帶線結構,實現體積小、重量輕、可靠性高、電性能優異、使用方便、適用范圍廣、成品率高、批量一致性好、造價低、溫度性能穩定的微型超寬帶巴倫。
為實現上述目的,本發明采用以下技術方案:
一種超寬帶巴倫,它包括移相電路P-S、輸入端口P1、微帶-共面波導轉換電路C-M1、第一輸出端口P2、共面波導-微帶轉換電路C-M2、第二輸出端口P3、共面波導-微帶轉換電路C-M3和缺陷地結構DGS;
缺陷地結構DGS位于移相電路P-S、輸入端口微帶-共面波導轉換電路C-M1、第一輸出端口共面波導-微帶轉換電路C-M2和第二輸出端口共面波導-微帶轉換電路C-M3的正下方;第一輸出端口P2和第二輸出端口P3設于移相電路P-S的左右兩邊,輸入端口P1設于所述移相電路P-S的后面;
移相電路P-S包括Y形傳輸線L1,倒L形傳輸線L2和倒L形傳輸線L3,倒L形傳輸線L2位于Y形傳輸線L1的左邊,倒L形傳輸線L3位于Y形傳輸線L1的右邊;
微帶-共面波導轉換電路包括主傳輸線L4、第一接地線L5、第二接地線L6和第一接地金屬柱Via1,第一接地線L5位于主傳輸線L4左邊,第二接地線L6位于主傳輸線L4右邊,第一接地金屬柱Via1均勻分布在第一接地線L5和第二接地線L6的下方,第一接地線L5和第二接地線L6均通過各自下方的第一接地金屬柱Via1連接地線;
共面波導-微帶轉換電路C-M2包括第一輸出傳輸線L7、第三接地線L8和第二接地金屬柱Via2,第一輸出傳輸線L7位于第三接地線L8的前方,第二接地金屬柱Via2均勻分布在第三接地線L8的正下方,第三接地線L8通過第二接地金屬柱Via2連接地線;
共面波導-微帶轉換電路C-M3包括第二輸出傳輸線L10、第四接地線L9和第三接地金屬柱Via3,第二輸出傳輸線L10位于第四接地線L9的后方,第三接地金屬柱Via3均勻分布在第四接地線L9的正下方,第四接地線L9通過第三接地金屬柱Via3連接地線;
輸入端口P1連接微帶-共面波導轉換電路C-M1的輸入端,微帶-共面波導轉換電路C-M1的輸出端通過節點Node1、節點Node2和節點Node3與移相電路P-S連接,移相電路P-S通過節點Node4和節點Node5與共面波導-微帶轉換電路C-M2的輸入端連接,共面波導-微帶轉換電路C-M2的輸出端連接第一輸出端口P2,移相電路P-S通過節點Node6和節點Node7與共面波導-微帶轉換電路C-M3的輸入端連接,共面波導-微帶轉換電路C-M3的輸出端連接第二輸出端口P3;
缺陷地結構DGS位于移相電路P-S、輸入端口微帶-共面波導轉換電路C-M1、第一輸出端口共面波導-微帶轉換電路C-M2和第二輸出端口共面波導-微帶轉換電路C-M3的正下方;
包括一種超寬帶巴倫采用低溫共燒陶瓷制成。
所述缺陷地結構DGS包含金屬地線區域Ground和不接地線的空白區域Defect,所述金屬地線區域Ground為矩形金屬地線,所述不接地線的空白區域Defect設于所述金屬地線區域Ground內。
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