[發明專利]一種PVT法生長碳化硅單晶時隨爐退火的方法在審
| 申請號： | 201610241793.5 | 申請日： | 2016-04-19 |
| 公開（公告）號： | CN105696082A | 公開（公告）日： | 2016-06-22 |
| 發明（設計）人： | 劉欣宇;陳穎超;張云偉;何麗娟;靳麗婕;郭希;程章勇 | 申請（專利權）人： | 北京世紀金光半導體有限公司 |
| 主分類號： | C30B33/02 | 分類號： | C30B33/02;C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京中創陽光知識產權代理有限責任公司 11003 | 代理人： | 尹振啟;張希宇 |
| 地址： | 101111 北京市通*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 pvt 生長 碳化硅 單晶時隨爐 退火 方法 | ||
1.一種PVT法生長碳化硅單晶時隨爐退火的方法，其特征在于，為該方法配備一晶體生長用單晶爐，該單晶爐包括坩堝、發熱筒、保溫結構和感應線圈，所述坩堝置于所述發熱筒內，與坩堝連接有驅動其在發熱筒內上下移動的提拉機構，發熱筒四周包覆有所述保溫結構，所述感應線圈與發熱筒配合使用，對發熱筒感應加熱；
該方法包括如下步驟：
步驟1）調整所述保溫結構使所述發熱筒內得到理想的溫區分布，在所述坩堝內進行碳化硅晶體生長；
步驟2）碳化硅晶體生長完成后，使用所述提拉機構控制所述坩堝，將其移至所述發熱筒內低于晶體生長溫度的區域；
步驟3）待晶體溫度恒定后，啟動溫控程序將單晶爐內溫度緩慢降至室溫，降溫后出爐、取錠。
2.如權利要求1所述的PVT法生長碳化硅單晶時隨爐退火的方法，其特征在于，所述步驟1）和所述步驟2）中加熱筒內的溫度呈現軸向中心溫度最高，沿軸向向發熱筒兩端溫度逐漸遞減分布，適于晶體生長的溫區位于加熱筒中部，低于晶體成長的溫區靠近加熱筒兩端。
3.如權利要求2所述的PVT法生長碳化硅單晶時隨爐退火的方法，其特征在于，包覆在所述發熱筒外側壁的所述保溫結構厚于包覆在發熱筒上部和下部的保溫結構。
4.如權利要求2所述的PVT法生長碳化硅單晶時隨爐退火的方法，其特征在于，包覆在所述發熱筒外側壁的所述保溫結構與包覆在發熱筒上部和下部的保溫結構材質不同，包覆在所述發熱筒外側壁的保溫結構的保溫性能優于包覆在發熱筒上部和下部的保溫結構。
5.如權利要求1所述的PVT法生長碳化硅單晶時隨爐退火的方法，其特征在于，所述單晶爐是但不限于冷壁生長爐或熱壁石英管式爐。
6.如權利要求1所述的PVT法生長碳化硅單晶時隨爐退火的方法，其特征在于，所述提拉機構包括與所述坩堝連接的提拉桿和所述提拉桿下端連接的驅動裝置。
7.如權利要求1所述的PVT法生長碳化硅單晶時隨爐退火的方法，其特征在于，該方法生長的所述碳化硅晶體包括但不限于直徑為6英寸氮化硅晶體。
8.如權利要求1所述的PVT法生長碳化硅單晶時隨爐退火的方法，其特征在于，所述發熱筒的高度接近于所述感應線圈的高度。
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