[發明專利]一種半導體器件及其制作方法、電子裝置

有效

• 申請號: 201610240678.6
• 申請日: 2016-04-18
• 公開（公告）號: CN107305891B
• 公開（公告）日: 2020-02-11
• 發明（設計）人: 陳亮
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L27/11524
• 代理公司: 11336 北京市磐華律師事務所
• 代理人: 高偉;張建

1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括下述步驟：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成有柵極材料層和硬掩膜層，在所述半導體襯底、柵極材料層和硬掩膜層中形成有溝槽，在所述溝槽的側壁上形成有襯墊氧化層，所述襯墊氧化層為高溫氧化物，在所述溝槽中填充有隔離層；

去除所述硬掩膜層；

去除所述硬掩膜層之后，在所述半導體襯底上形成附加氧化層，所述附加氧化層包括位于所述柵極材料層之上的部分和位于所述溝槽側壁上的部分，所述附加氧化層用于填充在去除所述硬掩膜層后于所述襯墊氧化層上形成的位于隔離層和柵極材料層之間的缺角；

去除所述附加氧化層位于所述柵極材料層之上的部分，保留位于所述缺角中的附加氧化層。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，通過濕法刻蝕去除所述硬掩膜層。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述附加氧化層通過化學氣相沉積法或熱氧化法形成。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，通過干法刻蝕或濕法刻蝕去除所述附加氧化層位于所述柵極材料層之上的部分。

5.根據權利要求1-4之一所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述半導體器件為NAND存儲單元。

6.根據權利要求5所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述柵極材料層為浮柵材料層。

7.一種采用如權利要求1-5之一所述的方法制作的半導體器件，其特征在于，包括：半導體襯底，位于所述半導體襯底上的柵極材料層，位于所述半導體襯底、柵極材料層中的溝槽，位于所述溝槽的底部和側壁上的襯墊氧化層，所述襯墊氧化層為高溫氧化物，位于所述溝槽側壁頂部上的附加氧化層，所述附加氧化層覆蓋柵極材料層的部分側壁，以及位于所述溝槽中并被所述襯墊氧化層和所述附加氧化層環繞包圍的隔離層。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件為NAND存儲單元。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，所述柵極材料層為浮柵材料層。

10.一種電子裝置，其特征在于，包括權利要求7-9之一所述的半導體器件以及與所述半導體器件相連接的電子組件。