[發明專利]一種半導體器件及其制作方法

在審

• 申請號: 201610240602.3
• 申請日: 2016-04-18
• 公開（公告）號: CN107305847A
• 公開（公告）日: 2017-10-31
• 發明（設計）人: 禹國賓
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/329;H01L29/78;H01L29/872;H01L21/28;H01L29/45
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所11336
• 代理人: 董巍,高偉

1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底的表面包含至少一個硅區域；

在所述硅區域的表面上形成金屬層；

進行第一退火工藝，以使所述金屬層中的金屬與所述硅區域中的硅反應，形成第一金屬硅化物；

去除未反應的剩余的所述金屬層；

對所述第一金屬硅化物進行氮化處理以及第二退火工藝，以形成摻雜氮元素的第二金屬硅化物。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在進行所述第二退火工藝的同時通入氨氣以實現所述氮化處理。

3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，首先對所述第一金屬硅化物進行所述氮化處理，再進行所述第二退火工藝。

4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述氮化處理為采用含氮等離子體氮化處理的方法。

5.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述含氮等離子體是通過處理氣體的紫外輻射誘導解離而形成，或者，是通過所述處理氣體的微波誘導等離子體解離而形成，或者是通過所述處理氣體的等離子體誘導解離而形成，其中，所述處理氣體包括至少一種含氮氣體。

6.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述含氮氣體選用氮氣或者氨氣或兩者組合。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的制作方法，其特征在于，所述第二退火工藝選用均溫退火、尖峰退火、毫秒退火或者微波退火。

8.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二退火工藝的溫度范圍為500～1300℃。

9.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述金屬層的材料包括Ti或依次層疊的Ti/TiN。

10.一種半導體器件，其特征在于，包括：半導體襯底，所述半導體襯底的表面包含至少一個硅區域，在所述硅區域的表面上形成有摻雜氮元素的金屬硅化物。