[發明專利]一種MEMS器件及其制備方法、電子裝置

有效

• 申請號: 201610240551.4
• 申請日: 2016-04-18
• 公開（公告）號: CN107304038B
• 公開（公告）日: 2019-10-25
• 發明（設計）人: 王偉;鄭超
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81C3/00;B81B1/00
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;馮永貞

1.一種MEMS器件的制備方法，包括：

步驟S1：提供底部晶圓，在所述底部晶圓的正面形成有空腔；

步驟S2：在所述空腔的表面形成保護層，以覆蓋所述空腔、避免所述空腔在后續的步驟中碎裂；

步驟S3：提供頂部晶圓并和所述底部晶圓相接合；

步驟S4：反轉所述步驟S3中接合后的元件，并在所述底部晶圓的背面形成凹槽，露出所述空腔的底部的所述保護層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S2包括：

步驟S211：在所述底部晶圓的正面以及所述空腔表面形成干膜層，以覆蓋所述底部晶圓和所述空腔；

步驟S212：對所述干膜層進行曝光，以去除所述底部晶圓表面的所述干膜層，在所述空腔的表面形成保護層。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S2包括：

步驟S221：在所述底部晶圓的正面以及所述空腔表面形成保護層，以覆蓋所述底部晶圓和所述空腔；

步驟S222：沉積犧牲材料層，以完全填充所述空腔。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，在所述步驟S4之后，所述方法進一步包括：

步驟S5：去除所述底部晶圓的正面上的所述保護層，以露出所述犧牲材料層；

步驟S6：去除所述犧牲材料層，以露出所述空腔。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述步驟S222包括：

步驟S2221：在所述底部晶圓上沉積光刻膠層，以覆蓋所述保護層并填充所述空腔；

步驟S2222：對所述光刻膠層曝光顯影，以去除所述保護層上的所述光刻膠層并完全填充所述空腔；

步驟S2223：對所述光刻膠層進行烘烤，以固化所述空腔中的所述光刻膠層。

6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，在所述步驟S6中，選用灰化法去除所述犧牲材料層。

7.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述保護層選用氧化物層。

8.一種基于權利要求1至7之一所述的方法制備得到的MEMS器件。

9.一種電子裝置，包括權利要求8所述的MEMS器件。