[發明專利]用于制造存儲器裝置的方法

有效

• 申請號: 201610240090.0
• 申請日: 2016-04-18
• 公開（公告）號: CN106960847B
• 公開（公告）日: 2022-01-04
• 發明（設計）人: 吳鐵將;王文杰;楊勝威
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

1.一種制造存儲器裝置的方法，所述方法包含：

在基板中形成淺溝槽隔離區域；

在所述基板中形成至少一個凹陷閘極結構，所述凹陷閘極結構與所述淺溝槽隔離區域橫向相鄰且在其外部；

在所述基板上形成導電線，所述導電線具有在其間橫向延伸的溝渠；

在形成所述淺溝槽隔離區域后，在所述溝渠之中形成接點材料；

移除所述接點材料的一部分以形成開孔以暴露所述基板；

在移除所述接點材料的所述部分之后，形成介電材料，所述介電材料在所述淺溝槽隔離區域上方且在所述接點材料的相對的部分之間垂直延伸，所述介電材料經配置以將所述接點材料分隔成兩個分開的接點，其中所述導電線的上表面和所述兩個分開的接點實質上彼此共面；

在所述導電線的所述上表面和所述兩個分開的接點上方直接形成單一的頂層材料；

形成第一氣隙，所述第一氣隙在所述淺溝槽隔離區域中的一者的上方且在所述兩個分開的接點之間，其中在所述兩個分開的接點之間形成所述第一氣隙包含將所述介電材料全部去除；以及

形成第二氣隙，所述第二氣隙在所述導電線中的一個導電線和所述兩個分開的接點中的一個接點之間，其中所述第二氣隙與所述至少一個凹陷閘極結構直接物理接觸。

2.如權利要求1所述的方法，其中形成在所述接點材料的所述相對的部分之間垂直延伸的所述介電材料包含：

在所述接點材料之上形成具有開孔的硬遮罩；

通過所述硬遮罩的所述開孔圖案化所述接點材料以在所述接點材料之中形成所述開孔；以及

在所述開孔之中填入所述介電材料。

3.如權利要求1所述的方法，其中在所述兩個分開的接點之間形成所述第一氣隙包含：

在所述兩個分開的接點之上形成所述單一的頂層材料以在所述兩個分開的接點之間形成所述第一氣隙。

4.如權利要求3所述的方法，其中去除所述介電材料是借由干蝕刻、濕蝕刻、電漿蝕刻或其組合的方式來進行。

5.如權利要求1所述的方法，其進一步包括在所述介電材料與所述兩個分開的接點中的一個接點之間形成蝕刻停止材料。

6.如權利要求1所述的方法，其中在所述導電線與所述接點之間形成所述第二氣隙包含：

在所述導電線與所述接點之間形成氧化材料；

去除所述氧化材料；以及

在所述導電線及所述接點之上形成所述單一的頂層材料以在所述導電線與所述接點之間形成所述第二氣隙。

7.如權利要求6所述的方法，其進一步包括在所述氧化材料的側壁上形成第二蝕刻停止材料。

8.一種形成微電子裝置的方法，所述方法包括：

在基板中形成淺溝槽隔離區域；

在所述基板上形成第一閘極結構和在所述基板中形成第二閘極結構，所述第二閘極結構與所述淺溝槽隔離區域橫向相鄰且在其外部；

在此之后，在位于所述基板上的導電線之間橫向延伸的溝渠中形成接觸材料；

移除所述接觸材料的一部分以暴露所述基板并形成兩個接點，所述兩個接點中的每一個接點經定位以接近相應導電線，且所述導電線的上表面和所述兩個接點實質上彼此共面；

在移除所述接觸材料的所述部分之后，在所述兩個接點之間垂直插入介電材料以將所述兩個接點彼此分開，所述介電材料形成在所述淺溝槽隔離區域上方；且

在所述導電線和所述兩個接點上方直接形成單一的頂層材料以形成在所述兩個接點之間的第一氣隙和在所述兩個接點中的一個接點與所述相應導電線之間的第二氣隙，其中位于所述兩個接點之間的所述第一氣隙在所述淺溝槽隔離區域中的一者的上方，其中形成位于分開的所述兩個接點之間的所述第一氣隙包含將所述介電材料全部去除，并且其中所述第二氣隙與所述第二閘極結構直接物理接觸。

9.如權利要求8所述的方法，其中形成所述第一閘極結構和所述第二閘極結構包括形成單層結構或多層結構中的至少一者。