[發(fā)明專利]一種基于再生長技術(shù)降低GaN HEMT器件歐姆接觸電阻的方法及GaN HEMT器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610240036.6 | 申請日： | 2016-04-18 |
| 公開（公告）號： | CN105895687B | 公開（公告）日： | 2019-03-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 周建軍;孔月嬋;孔岑;郁鑫鑫;張凱;郁元衛(wèi) | 申請（專利權(quán)）人： | 中國電子科技集團公司第五十五研究所 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/04;H01L29/06;H01L21/3065;H01L21/324 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 張弛 |
| 地址： | 210016 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 再生 技術(shù) 降低 gan hemt 器件 歐姆 接觸 電阻 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
