[發(fā)明專利]一種紫外發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610239649.8 | 申請(qǐng)日： | 2016-04-18 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN105762240B | 公開（公告）日： | 2018-10-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳圣昌;鄧和清;卓昌正;徐宸科 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 廈門市三安光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/00 | 分類號(hào)： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 361009 福建省廈*** | 國(guó)省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 紫外 發(fā)光二極管 外延 結(jié)構(gòu) 及其 制備 方法 | ||
1.一種紫外發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
（1）提供一襯底；
（2）先生長(zhǎng)厚度為0.5~3μm的高溫AlN層；
（3）然后生長(zhǎng)厚度為0.3~2μm的低溫AlN層；
（4）再生長(zhǎng)厚度為0.5~3μm的高溫AlN層；
（5）生長(zhǎng)n型AlGaN層；
（6）生長(zhǎng)有源層；
（7）生長(zhǎng)p型AlGaN層；其中所述步驟（2）和（4）的高溫AlN層的厚度均大于所述步驟（3）的低溫AlN層的厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述步驟（2）或（4）中高溫AlN層的生長(zhǎng)溫度為1300℃以上，生長(zhǎng)壓力為50~200torr。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述步驟（3）中低溫AlN層的生長(zhǎng)溫度為600~850℃，生長(zhǎng)壓力為50~200torr。
4.一種紫外發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：從下至上依次包括：襯底；第一高溫AlN層；低溫AlN層；第二高溫AlN層；n型AlGaN層；有源層以及p型AlGaN層，其中所述第一、第二高溫AlN層的厚度均為0.5~3μm，所述低溫AlN層的厚度為0.3~2μm，所述第一、第二高溫AlN層的厚度均大于所述低溫AlN層的厚度。
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