[發明專利]利用納米顆粒改善表面浸潤性的薄膜制備方法

在審

• 申請號: 201610239563.5
• 申請日: 2016-04-18
• 公開（公告）號: CN105789448A
• 公開（公告）日: 2016-07-20
• 發明（設計）人: 朱瑞;劉堂昊;羅德映;龔旗煌
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/44;B05D5/00
• 代理公司: 北京萬象新悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11360
• 代理人: 李稚婷

1.一種薄膜制備方法，包括以下步驟：

1)配制納米顆粒的前驅體溶液或分散液；

2)將納米顆粒的前驅體溶液或分散液沉積在待沉積表面上，形成一層不連續的納米顆粒， 獲得修飾后的待沉積表面；

3)將待沉積的溶液沉積在修飾后的待沉積表面，得到全覆蓋且與待沉積表面接觸良好的 薄膜。

2.如權利要求1所述的薄膜制備方法，其特征在于，步驟1)采用在待沉積表面浸潤性好且 對待沉積表面無傷害的溶劑配制納米顆粒的前驅體溶液或分散液。

3.如權利要求2所述的薄膜制備方法，其特征在于，步驟1)所用溶劑選自下列溶劑中的一 種或多種：水、二硫化碳、甲醇、乙醇、丁醇、乙二醇、異丙醇、乙氧基乙醇、甲氧基乙 醇、氯苯、二氯苯、N,N-二甲基甲酰胺、γ-丁內酯和二甲基亞砜，視待沉積表面的性質而 定。

4.如權利要求1所述的薄膜制備方法，其特征在于，所述待沉積表面是無機材料表面或有機 材料表面。

5.如權利要求4所述的薄膜制備方法，其特征在于，所述待沉積表面選自下列材料中的一種 或多種：硅片、氮化硅、玻璃、單基板、聚對苯二甲酸乙二酯、金屬板、氧化銦錫、氧化 氟錫、聚3,4-乙撐二氧噻吩∶聚苯乙烯磺酸鹽、PCBM、ICBA、C₆₀、聚乙烯醇、聚乙烯 吡咯烷酮、poly-TPD、spiro-OMeTAD、聚乙烯咔唑、石墨烯、石墨烯氧化物、氧化鋅、 氧化鎳、氧化鉬、氧化鎢、氧化鈦、二氧化硅、二氧化錫、二氧化鍺、銀膜、銀納米線、 銀網格、金膜、金納米線、金網格、銅膜、銅納米線、銅網格、鎳膜、鎳納米線和鎳網格。

6.如權利要求1所述的薄膜制備方法，其特征在于，所述納米顆粒選自：ITO納米顆粒、FTO 納米顆粒、銀納米顆粒、金納米顆粒、銅納米顆粒、碳量子點、氧化鈦納米顆粒、二氧化 硅納米顆粒、氧化鋅納米顆粒、氧化鎳納米顆粒、氧化鉬納米顆粒、氧化鎢納米顆粒、氧 化鋁納米顆粒、二氧化鋯納米顆粒、碘化鉛納米顆粒、氯化鉛納米顆粒和溴化鉛納米顆粒 中的一種或多種。

7.如權利要求1所述的薄膜制備方法，其特征在于，步驟1)配制的納米顆粒的前驅體溶液 或分散液的濃度小于等于1mol/L。

8.如權利要求1所述的薄膜制備方法，其特征在于，步驟2)采用旋涂、滴涂、刮涂、噴涂、 和/或印刷的方法沉積納米顆粒。

9.如權利要求1所述的薄膜制備方法，其特征在于，步驟2)在待沉積表面上形成一層間距 小于等于100μm的不連續納米顆粒。

10.如權利要求1所述的薄膜制備方法，其特征在于，步驟3)中待沉積溶液的沉積方法選 自旋涂、滴涂、刮涂、噴涂和印刷中的一種或多種。